Электронные ключи. Кудрявцев И.А - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СГАУ | Самара

Составители: 

Рубрика: 

10
Очевидно, ключевую роль играет степень (глубина) насыщения транзи-
стора
БНАС
Б
НАС
I
I
q =
. Для количественной оценки коммутационных параметров
можно воспользоваться следующими выражениями:
1
ln
−
=
НАС
НАС
ВКЛ
q
q
t
τ
,
2
1
ln
+
=
НАС
РАС
q
t
τ
,
τ
7.0
=
ВЫКЛ
t , где
ГР
f
π
τ
2
1
=
.
Существуют схемотехнические методы повышения быстродействия клю-
ча: форсирующая цепочка (рис. 5а) и нелинейная обратная связь (рис. 5б).
а) Ключ с форсирующей цепочкой
б) Ключ с нелинейной обратной связью
Рисунок 5 - схемотехнические приемы повышения быстродействия
Принцип работы форсирующей цепочки очевиден: при отпирании тран-
зистора ток базы определяется процессом заряда форсирующей емкости (быст-
рый переход в режим насыщения), в открытом состоянии ток базы определяет-
ся резистором, величина которого выбирается таким образом, чтобы обеспе-
чить неглубокое
насыщение транзистора. Таким образом, уменьшается время
рассасывания неосновных носителей в базе.
При использовании нелинейной обратной связи применяется диод, вклю-
ченный между базой и коллектором транзистора. Запертый диод не влияет на
работу схемы, когда ключ открывается, диод оказывается смещенным в прямом
направлении, а транзистор охваченным глубокой отрицательной обратной свя-
зью. Для
уменьшения времени выключения необходимо обеспечить малое вре-
мя восстановления обратного сопротивления диода, для чего применяются дио-
ды с барьером Шотки. Монолитная структура диод Шотки – биполярный тран-
зистор называется транзистором Шотки.

Страницы