ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
9
Рисунок 4 - Переходные процессы в ключе на биполярном транзисторе
1. Транзистор заперт, ток базы определяется обратным током коллекто-
ра, заряд в базе практически отсутствует, на выходе ключа высокий уровень.
2. Потенциал на входе ключа скачком увеличивается, начинается заряд
входной емкости. Токи базы и коллектора не изменяются, пока напряжение
на переходе база-
эмиттер не превышает напряжения отсечки (время задерж-
ки включения).
3. В момент превышения напряжения отсечки открывается эмиттерный
переход, и транзистор переходит в активный режим. Инжектируемые в базу
неосновные носители нарушают равновесное состояние базы, и начинается
накопление заряда. Пропорционально увеличивается ток коллектора, обу-
словленный экстракцией носителей в область коллектора. Время до перехо
-
да в режим насыщения – время включения.
4. В режиме насыщения все токи и напряжения остаются постоянными,
при этом заряд в базе продолжает нарастать, хотя и с меньшей скоростью.
Заряд, превышающий величину, соответствующую переходу в режим насы-
щения, называется избыточным.
5. При скачкообразном изменении потенциала на входе ключа ток базы
также
быстро уменьшается, нарушается равновесное состояние заряда базы
и начинается его рассасывание. Транзистор остается насыщенным до тех
пор, пока заряд не уменьшится до граничной величины, после чего перехо-
дит в активный режим (время задержки выключения).
6. В активном режиме заряд базы и ток коллектора уменьшаются до тех
пор, пока транзистор не перейдет
в режим отсечки. В этот момент входное
сопротивление ключа возрастает. Этот этап определяет время выключения.
7. После перехода транзистора в режим отсечки напряжение на выходе
продолжает нарастать, так как заряжаются емкости нагрузки, монтажа и ем-
кость коллектора.
U
ВХ
U
БЭ
Q
I
К
U
ВЫХ
t
t
t
t
t
Q
ГР
U
БЭотс
t
зад. вкл
t
зад. выкл
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »