Электронные ключи. Кудрявцев И.А - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СГАУ | Самара

Составители: 

Рубрика: 

7
Инерционность диодных ключей обусловлена накоплением неосновных
носителей в области p-n перехода, емкостью p-n перехода, емкостью и индук-
тивностью выводов. Кроме перечисленных параметров, имеют значение также
индуктивность и емкость нагрузки, а также монтажные емкости. В справочни-
ках на дискретные диоды чаще всего указывается время обратного восстанов-
ления (восстановления обратного сопротивления), обусловленное диффузион-
ным движением
неосновных носителей. Для уменьшения этого времени могут
использоваться создание ловушек, способствующих рекомбинации неосновных
носителей или создание неоднородной концентрации примесей (диоды с нако-
плением заряда).
Диодные ключи чаще всего используются в качестве вспомогательных
узлов в цифровой и аналоговой технике.
1.2 Электронные ключи на биполярных транзисторах
Чаще всего используются ключи, собранные по
схеме с общим эмитте-
ром, как показано на рис. 3.
В ключевом режиме биполярный транзистор работает в режиме насыще-
ния (замкнутый ключ) или режиме отсечки (разомкнутый ключ). Полезно пом-
нить, что в режиме насыщения оба перехода (коллектор-база и эмиттер-база)
открыты, а в режиме отсечки – заперты. В режиме насыщения выходную цепь
транзистора можно представить эквивалентным источником напряжения, вели-
чина ЭДС которого приводится в справочниках (
КЭНАС
U - напряжение насыще-
ния). Строго говоря, следует учитывать также внутреннее сопротивление этого
источника, величина которого определяется крутизной наклона линии гранич-
ного режима, однако, в большинстве практически важных случаев для инже-
нерных расчетов можно ограничиться величиной -
КЭНАС
U . Резисторы R
б
и R
к
должны обеспечивать надежное запирание транзистора при низком уровне
управляющего сигнала во всем диапазоне рабочих температур и насыщение
при высоком уровне управляющего сигнала.
Рисунок 3 – Схема электронного ключа на биполярном транзисторе
При расчете необходимо учитывать обратный ток коллектора, протекаю-
щий через резистор
R
б
, и создающий на нем падение напряжения. Суммарное
напряжение на эмиттерном переходе определяется выражением:
БKБЭ
RIUU
max0
+
=
,

Страницы