Электронные ключи. Кудрявцев И.А - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СГАУ | Самара

Составители: 

Рубрика: 

6
потенциалов. С учетом активного сопротивления р и n областей активное со-
противление диода равно:
rIIm
dI
du
r
Tпр
++== )/(
0
ϕ
.
При достаточно больших напряжениях
rr
д
≈
(единицы-десятки ом), при обратно
смещенном переходе
)/(
0
IImr
Tпр
+
≈
ϕ
(десятки-сотни килоом).
Эквивалентная схема диода представлена на рис.1. Инерционность ключа
определяется процессами накопления неосновных носителей в области p-n пе-
рехода, емкостью p-n перехода, емкостью между выводами и индуктивностью
выводов. Основным справочным параметром, определяющим быстродействие
диода, является время восстановления обратного сопротивления.
r
уm
- сопротивление утечки;
С
0
- емкость между выводами диода;
L - индуктивность выводов;
С
Д
- диффузионная емкость p-n перехода
при прямом смещении;
С
Б
- барьерная емкость p-n перехода при
обратном смещении
Рисунок 1 -Эквивалентная схема диода
На основе диодных ключей можно строить различные логические эле-
менты (рис.2).
Рисунок 2 - Пример логических схем на основе диодных ключей
Электронные ключи на основе диодов являются пассивными структура-
ми, что приводит к ослаблению сигнала при прохождении таких ключей, что
особенно заметно при построении многоступенчатых структур.

Страницы