Порошковая дифрактометрия в материаловедении. Часть II. Кузьмичева Г.М. - 4 стр.

UptoLike

Составители: 

-7-
позицию Cu
1+
, а атомы In
3+
и Ga
3+
статистически размещены по
позициям Fe
3+
.
На рис. 1 представлены зависимости параметров
элементарной ячейки a (рис. 1а) и c (рис.1б) твердых растворов
Ag(Ga
-x
In
x
)Se
2
от содержания In (величина x), из которых
следует прямолинейная зависимость между содержанием In и
параметром элементарной ячейки c (рис.1б), а a = f(x) (рис. 1а).
имеет отрицательное отклонение от аддитивности.
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
5,98
5,99
6,00
6,01
6,02
6,03
6,04
6,05
6,06
6,07
6,08
6,09
6,10
6,11
а, Å
x
а.
-8-
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
10,8
10,9
11,0
11,1
11,2
11,3
11,4
11,5
11,6
11,7
11,8
x
c, Å
б.
Рис. 1.Зависимость параметров элементарной ячейки a (а) и c
(б) твердых растворов Ag(Ga
-x
In
x
)Se
2
от содержания In
Отклонение от аддитивности в данном случае можно
объяснить разными величинами коэффициентов сжимаемости
AgGaSe
2
(β
1
) и AgInSe
2
(β
2
), а именно, β
1
<β
2
, которые имеют
еще и различные значения в направлениях a и с.
Пример. Непрерывные твердые растворы гексаборидов
редкоземельных металлов с общей формулой (R
1-x
R′′
x
)B
6
(R-
редкоземельный металл) кристаллизуются в кубической
сингонии структурного типа CaB
6
(пр. гр. Pm3m, z=1): атомы R
и B занимают кристаллографические позиции с координатами
атомов 000 и x ½ ½ cоответственно. На рис. 2 представлена
                                    -7-                                                                      -8-
позицию Cu1+, а атомы In3+ и Ga3+ статистически размещены по
                                                                                         c, Å
позициям Fe3+ .                                                                       11,8
                                                                                      11,7
  На    рис.      1   представлены        зависимости        параметров               11,6
                                                                                      11,5
элементарной ячейки a (рис. 1а) и c (рис.1б) твердых растворов
                                                                                      11,4
Ag(Ga-xInx)Se2 от содержания In (величина x), из которых                            11,3
                                                                                      11,2
следует прямолинейная зависимость между содержанием In и                              11,1
параметром элементарной ячейки c (рис.1б), а a = f(x) (рис. 1а).                      11,0
                                                                                      10,9
имеет отрицательное отклонение от аддитивности.                                       10,8                                              x
                                                                                          0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0


               а, Å                                                                                   б.
           6,11
           6,10
                                                                          Рис. 1.Зависимость параметров элементарной ячейки a (а) и c
           6,09                                                              (б) твердых растворов Ag(Ga-xInx)Se2 от содержания In
           6,08
           6,07
           6,06                                                              Отклонение от аддитивности в данном случае можно
           6,05
           6,04                                                            объяснить разными величинами коэффициентов сжимаемости
           6,03
           6,02                                                            AgGaSe2 (β1) и AgInSe2 (β2), а именно, β1<β2, которые имеют
           6,01
           6,00                                                            еще и различные значения в направлениях a и с.
           5,99
           5,98                                              x               Пример. Непрерывные твердые растворы гексаборидов
               0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0
                                                                           редкоземельных металлов с общей формулой (R′1-xR′′x)B6 (R-
                                   а.                                      редкоземельный     металл)      кристаллизуются          в       кубической
                                                                           сингонии структурного типа CaB6 (пр. гр. Pm3m, z=1): атомы R
                                                                           и B занимают кристаллографические позиции с координатами
                                                                           атомов 000 и x ½ ½ cоответственно. На рис. 2 представлена