Порошковая дифрактометрия в материаловедении. Часть II. Кузьмичева Г.М. - 8 стр.

UptoLike

Составители: 

-15-
г.Твердые растворы внедрения
Пример. Фазы в системе R(TR)-M-B-C(N) (R-
редкоземельные металлы, TR- актиниды, M-переходные
металлы), принадлежащие гомологическому ряду
[(R(TR)C(N)]
m
(B-M
2
-B)
n
, проявляют сверхпроводящие свойства
с Т
с
от 6 до 23К. В структуре сверхпроводящей фазы
RM
2
B
2
C(B) типа ThCr
2
Si
2
атомы М занимают позицию атомов
Cr, атомы В-позицию Si, а атомы С(B) расположены в
кристаллографической позиции с координатами ½ ½ 0 образуя
твердый раствор внедрения с чередованием атомов R(C или В)-
B-M-B-(C или В)R-B-M-B-R(C или В). Внедренные атомы
углерода (С) или атомы бора (В) должны быть «источником»
носителей заряда аналогично атомам кислорода в
сверхпроводящих фазах RBa
2
Cu
3
O
6+δ,
изменением
концентрации которых можно варьировать температуру
перехода в сверхпроводящее состояние. Отсюда возникает
необходимость нахождения корреляции между содержанием
атомов С(В) и критической температурой Т
с,
а прежде всего
установление связи между параметрами элементарной ячейки и
содержанием атомов углерода (бора).
На рис. 6 дана связь между параметрами ячейки а (а) и с (б)
фаз YNi
2
B
2+x
от содержания бора в шихте и в полученной фазе.
-16-
а. б.
Рис. 6. Зависимость параметров ячейки а (а) и с (б) фаз
YNi
2
B
2+x
от содержания бора в шихте (кривая I) и в фазе
(предполагаемая кривая II).
Как видно из рисунков, с увеличением содержания бора
параметр ячейки а увеличивается, а параметр ячейки с
уменьшается. На рис. 7 представлена связь между параметром
элементарной ячейки с и температурой перехода в
сверхпроводящее состояние.
                                 -15-                                                                  -16-
                 г.Твердые растворы внедрения
  Пример.      Фазы     в      системе      R(TR)-M-B-C(N)          (R-
редкоземельные     металлы,     TR-     актиниды,      M-переходные
металлы),      принадлежащие            гомологическому            ряду
[(R(TR)C(N)]m(B-M2-B)n, проявляют сверхпроводящие свойства
с Тс от 6 до 23К. В структуре сверхпроводящей фазы
RM2B2C(B) типа ThCr2Si2 атомы М занимают позицию атомов
Cr, атомы В-позицию Si, а атомы С(B) расположены в
кристаллографической позиции с координатами ½ ½ 0 образуя
твердый раствор внедрения с чередованием атомов R(C или В)-
B-M-B-(C или В)R-B-M-B-R(C или В). Внедренные атомы
углерода (С) или атомы бора (В) должны быть «источником»
носителей    заряда    аналогично         атомам       кислорода      в
сверхпроводящих        фазах          RBa2Cu3O6+δ,       изменением
концентрации     которых    можно        варьировать     температуру
перехода в сверхпроводящее состояние. Отсюда возникает                                          а.            б.
необходимость нахождения корреляции между содержанием                       Рис. 6. Зависимость параметров ячейки а (а) и с (б) фаз
                                                                            YNi2B2+x от содержания бора в шихте (кривая I) и в фазе
атомов С(В) и критической температурой Тс, а прежде всего                                 (предполагаемая кривая II).
установление связи между параметрами элементарной ячейки и
                                                                            Как видно из рисунков, с увеличением содержания бора
содержанием атомов углерода (бора).
                                                                          параметр ячейки а увеличивается, а параметр ячейки с
  На рис. 6 дана связь между параметрами ячейки а (а) и с (б)
                                                                          уменьшается. На рис. 7 представлена связь между параметром
фаз YNi2B2+x от содержания бора в шихте и в полученной фазе.
                                                                          элементарной   ячейки   с    и   температурой   перехода    в
                                                                          сверхпроводящее состояние.