Порошковая дифрактометрия в материаловедении. Часть II. Кузьмичева Г.М. - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

-19-
3-Bi в тетраэдрических пустотах в подрешетке Sb,
4-Bi в тетраэдрических пустотах подрешетки In,
5-твердые растворы InSb<Bi>, сочетающие механизмы 3 и 4,
6-твердые растворы InSb-In
2
Bi (экспериментальная
зависимость),
7- твердые растворы InSb-InBi (экспериментальная
зависимость)
Экспериментальные значения изменения параметра ячейки
от состава твердых растворов InSb-InBi (прямая 7 на рис. 8) и
InSb-In
2
Bi (прямая 6 на рис. 8) легли на две прямые между
теоретическими значениями, соответствующими случаям
замещения атомами Bi атомов Sb и In. При этом возможны два
объяснения указанного хода экспериментальных зависимостей:
-преимущественное замещение атомами Bi атомов Sb и In,
-преимущественное замещение атомами Bi атомов Sb, а
отрицательное отклонение обусловлено присутствием
значительного количества вакансий.
Количественная оценка соотношения механизмов замещения
в первом
случае показывает, что образование дефектов (Bi
In
)
составляет ~25% в растворах InSb-InBi и ~60% в растворах
InSb-In
2
Bi. Однако столь значительное количество данных
дефектов в последнем случае маловероятно, поскольку,
согласно известному кристаллохимическому правилу
Е.С.Макарова, атомы примеси замещают атомы того
компонента, с которым они не образуют химического
-20-
соединения. Таким образом, вероятнее всего реализуется
первый вариант для системы InSb-In
2
Bi и второй вариант для
системы InSb-InBi.
1.1.3. Определение границ гомогенности твердых
растворов.
Путь от соединения к материалу включает в себя множество
этапов, основным из которых является изучение фазовых
диаграмм и определение границ области гомогенности.
Пример. Оксосульфиды редкоземельных элементов R
2
O
2
S
(пр. гр. P-3m1; z=1), активированные редкоземельными
металлами, являются высокоэффективными антистоксовыми
люминофорами (зеленого и синего свечения) и в виде
люминофорных покрытий, излучающих в ИК-области спектра,
могут быть использованы для изготовления светодиодов,
цифровых, буквенно-цифровых индикаторов и индикаторных
табло, в цветном телевидении. Однако трудности выращивания
монокристаллов высокого оптического качества связаны
прежде всего
с отсутствием полных сведений о тройных
фазовых диаграммах в системе R-O-S. Для изучения
квазибинарных сечений весьма перспективно использовать
рентгенографический метод.
На рис. 9 представлена зависимость параметров
элементарной ячейки твердых растворов по разрезу La
2
S
3
-
La
2
O
3
. 
                             -19-                                                                    -20-
      3-Bi в тетраэдрических пустотах в подрешетке Sb,
                                                                   соединения. Таким образом, вероятнее всего реализуется
       4-Bi в тетраэдрических пустотах подрешетки In,
 5-твердые растворы InSb, сочетающие механизмы 3 и 4,          первый вариант для системы InSb-In2Bi и второй вариант для
      6-твердые растворы InSb-In2Bi (экспериментальная
                                                                   системы InSb-InBi.
                        зависимость),
      7- твердые растворы InSb-InBi (экспериментальная               1.1.3. Определение границ гомогенности твердых
                        зависимость)                                                       растворов.
                                                                      Путь от соединения к материалу включает в себя множество
  Экспериментальные значения изменения параметра ячейки            этапов, основным из которых является изучение фазовых
от состава твердых растворов InSb-InBi (прямая 7 на рис. 8) и      диаграмм и определение границ области гомогенности.
InSb-In2Bi (прямая 6 на рис. 8) легли на две прямые между            Пример. Оксосульфиды редкоземельных элементов R2O2S
теоретическими      значениями,   соответствующими      случаям    (пр.   гр.   P-3m1;    z=1),   активированные    редкоземельными
замещения атомами Bi атомов Sb и In. При этом возможны два         металлами, являются высокоэффективными антистоксовыми
объяснения указанного хода экспериментальных зависимостей:         люминофорами (зеленого и синего свечения) и в виде
  -преимущественное замещение атомами Bi атомов Sb и In,           люминофорных покрытий, излучающих в ИК-области спектра,
  -преимущественное замещение атомами Bi атомов Sb, а              могут быть использованы для изготовления светодиодов,
отрицательное      отклонение     обусловлено     присутствием     цифровых, буквенно-цифровых индикаторов и индикаторных
значительного количества вакансий.                                 табло, в цветном телевидении. Однако трудности выращивания
  Количественная оценка соотношения механизмов замещения           монокристаллов        высокого   оптического    качества   связаны
в первом случае показывает, что образование дефектов (BiIn)        прежде всего с отсутствием полных сведений о тройных
составляет ~25% в растворах InSb-InBi и ~60% в растворах           фазовых диаграммах в системе R-O-S.                Для изучения
InSb-In2Bi. Однако столь значительное количество данных            квазибинарных сечений весьма перспективно использовать
дефектов   в    последнем    случае   маловероятно,   поскольку,   рентгенографический метод.
согласно       известному     кристаллохимическому      правилу      На     рис.    9     представлена      зависимость   параметров
Е.С.Макарова,     атомы     примеси   замещают   атомы     того    элементарной ячейки твердых растворов по разрезу La2S3-
компонента, с которым они не образуют химического                  La2O3.

Страницы