Структурная обусловленность свойств. Часть 2. Кристаллохимия полупроводников. Кристаллохимия сверхпроводников. Кузьмичева Г.М. - 11 стр.

II.2. Кристаллические структуры полупроводниковых
                    соединений
    Систематический вывод структур нормально-валентных
полупроводниковых соединений может быть осуществлен на
основе плотнейшей упаковки анионов.
    Если исходить из плотнейшей кубической упаковки анионов
(Рис.2), то кристаллические структуры образуются с заполнением
    - одного семейства тетраэдрических пустот (СТ ZnS –
сфалерит, Рис. 2а, 3),
    - всех тетраэдрических пустот (СТ CaF2, Рис. 2б и Рис. 4),
    - всех октаэдрических пустот (СТ NaCl, Рис. 1в, Рис. 5)
    - октаэдрических и половины тетраэдрических пустот (СТ
CuMgSb, Рис. 2г)
    - всех октаэдрических и тетраэдрических пустот (СТ Li3Bi,
Рис. 2д).
    Дополнительные структурные типы могут быть выведены с
помощью четырех операций:
    а. упорядоченного замещения катионов исходного
бинарного соединения другими катионами той же валентности или
той же средней валентности (в расчете на катион), т.е. с
образованием сверхструктуры к исходному бинарному
соединению;
    б. упорядоченного замещения исходных катионов катионами
с более высокой средней валентностью, что приводит к появлению
вакансий.      Если     катионные     вакансии       распределены
неупорядоченно, то изменения типа кристаллической структуры не
происходит;
    в. упорядоченного замещения исходных катионов катионами
с более низкой средней валентностью с образованием
"внедренных" производных структур;
    г. небольших смещений атомов из узлов кристаллической
решетки.
    Симметрия упорядоченных структур, получаемых из
основных типов с помощью операций (а) - (г), как правило, ниже
кубической.
                                                              11