Структурная обусловленность свойств. Часть 2. Кристаллохимия полупроводников. Кристаллохимия сверхпроводников. Кузьмичева Г.М. - 13 стр.

    Схема вывода структур полупроводников, производных от
гексагональной плотнейшей упаковки анионов, менее четкая,
чем в случае кубических структур. Это обусловлено рядом
причин:
    1. Из-за расположения двух семейств тетраэдров парами,
имеющими общую грань, в результате чего центрированы
тетраэдры только одного из семейств, могут образовываться
всего два основных типа производных структур: СТ NiAs (в
гексагональной плотнейшей упаковке из атомов As, атомами Ni
заняты все октаэдрические пустоты) (Рис. 6) и CТ ZnS (вюртцит) (в
гексагональной плотнейшей упаковке из атомов S занято атомами
Zn одно семейство тетраэдрических пустот) (Рис. 7). Две близко
расположенные тетраэдрические пустоты объединяются, образуя
тригонально-бипирамидальную     пустоту,     и   одновременное
заполнение всех октаэдрических и таких бипирамидальных пустот,
приводит    к    образованию    структур      с   металлической
проводимостью.




      Рис. 6. Структурный тип          Рис. 7. Структурный тип
      NiAs                             ZnS (вюртцит)
    На Рис. 6 и Рис. 7 представлены элементарные ячейки.
    2. Атомы А (переходные металлы Т, Таблица 1),
расположенные в центрах октаэдрических пустот в структуре
NiAs, образуют простую гексагональную упаковку, поэтому вдоль
направления <0001> расстояния между ними меньше, чем в
плоскости базиса. В зависимости от числа электронов на d- уровне
изменяется отношение параметров ячейки c/a. При увеличении
величины c/a для соединений CТ NiAs уменьшается степень
                                                                 13