Структурная обусловленность свойств. Часть 2. Кристаллохимия полупроводников. Кристаллохимия сверхпроводников. Кузьмичева Г.М. - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

14
перекрывания электронных оболочек А - компонентов, что
уменьшает долю металлической составляющей связи (например,
c/a=1.624 для полупроводникового соединения MnTe). При
уменьшении величины c/a (например, c/a =1.55 для β-NiS) d-
орбитали могут перекрываться вдоль <0001>, и такие соединения
обычно имеют металлические свойства.
Металлические свойства не обязательно будут возникать при
тесном сближении катионов, если все их валентные электроны уже
использованы на образование двухэлектронных связей с анионами
или (в большей или меньшей степени) перешли в электронную
оболочку аниона, в результате чего анион превратился в ион с
заполненной оболочкой. Кроме того, имеется множество
нормально-валентных полупроводниковых соединений, структуры
которых не основаны на плотных упаковках атомов.
II. 2. 1. Тетраэдрические структуры
Согласно Партэ , под тетраэдрической структурой
подразумевается такая структура, в которой каждый атом
имеет четырех ближайших соседей, окружающих его
тетраэдрически. Родоначальниками таких структур являются
структуры ZnS сфалерита (Рис. 3) и вюртцита (Рис. 7).
Если рассматривать группу тетраэдрических структур
отдельно от других валентных соединений, то для анализа
валентных соотношений в этих структурах с составами соединений
A
n
X
m
можно воспользоваться уравнением n/m=(e
X
-4)/(4-e
A
), где
e
X
и e
A
- числа валентных электронов у атомов A и X
соответственно.
Если e
A
имеет целые числа от 1 до 4, а e
X
- от 4 до 7, то при
различных комбинациях целочисленных значений e
X
и e
A
может
реализоваться 10 вариантов составов соединений:
4, 35, 26, 17, 3
2
6, 3
3
7, 25
2
, 2
3
7
2
, 15
3
, 1
2
6
3
В этих формулах целые числа от 1 до 7 представляют
элементы с соответствующим номером группы Периодической
системы (Табл.1), а подстрочные индексы означают число атомов
в формуле соединения. Может быть использован и 0 - для
перекрывания электронных оболочек А - компонентов, что
уменьшает долю металлической составляющей связи (например,
c/a=1.624 для полупроводникового соединения MnTe). При
уменьшении величины c/a (например, c/a =1.55 для β-NiS) d-
орбитали могут перекрываться вдоль <0001>, и такие соединения
обычно имеют металлические свойства.
    Металлические свойства не обязательно будут возникать при
тесном сближении катионов, если все их валентные электроны уже
использованы на образование двухэлектронных связей с анионами
или (в большей или меньшей степени) перешли в электронную
оболочку аниона, в результате чего анион превратился в ион с
заполненной оболочкой. Кроме того, имеется множество
нормально-валентных полупроводниковых соединений, структуры
которых не основаны на плотных упаковках атомов.


      II. 2. 1. Тетраэдрические структуры
    Согласно Партэ , под тетраэдрической структурой
подразумевается такая структура, в которой каждый атом
имеет четырех ближайших соседей, окружающих его
тетраэдрически. Родоначальниками таких структур являются
структуры ZnS сфалерита (Рис. 3) и вюртцита (Рис. 7).
    Если рассматривать группу тетраэдрических структур
отдельно от других валентных соединений, то для анализа
валентных соотношений в этих структурах с составами соединений
AnXm можно воспользоваться уравнением n/m=(eX-4)/(4-eA), где
eX и eA - числа валентных электронов у атомов A и X
соответственно.
    Если eA имеет целые числа от 1 до 4, а eX - от 4 до 7, то при
различных комбинациях целочисленных значений eX и eA может
реализоваться 10 вариантов составов соединений:
    4, 35, 26, 17, 326, 337, 252, 2372, 153, 1263
    В этих формулах целые числа от 1 до 7 представляют
элементы с соответствующим номером группы Периодической
системы (Табл.1), а подстрочные индексы означают число атомов
в формуле соединения. Может быть использован и 0 - для
14

Страницы