Структурная обусловленность свойств. Часть 2. Кристаллохимия полупроводников. Кристаллохимия сверхпроводников. Кузьмичева Г.М. - 7 стр.

 в. поликатионные соединения : b≠0, (eA+eX)/m-b=8.
    Они образуются в результате избытка валентных электронов,
которые образуют связь "катион-катион". К таким соединениям
принадлежит, например, GaTe (eA=3, eX=6, m=1, b=1).

    Полианионные и поликатионные соединения образуют
гетеродесмические структуры. В частности, GaTe имеет слоистую
структуру, где в слое и между слоями действуют разные типы
химической связи.
    Использование правила Мозера-Пирсона для анализа
структур, основанное на предположении, что все анион-анионные
и катион-катионные связи являются одинарными связями,
осуществляемые общими парами электронов, возможно только в
случае валентных соединений.
    Соотношение (eA + eX) / m ± b = 8 можно применять в
качестве    критерия    полупроводимости    (например,     при
подразделении рассматриваемых веществ на полупроводники и
металлы) только в случае учета действительного числа
электронов, образующих катион-катионные и анион-анионные
связи. Другими словами, вещество является полупроводником не
когда анионы могут приобрести заполненную валентную оболочку
за счет обобществления электронов или их переноса, а когда это
действительно происходит. Необходимо подчеркнуть, что если
анионы приобретают заполненные оболочки, расстояния между
ними должны быть по крайней мере не меньше их ван-дер-
ваальсовых диаметров. Если расстояния между анионами
значительно меньше, тогда мало вероятно, что они в
действительности имеют заполненные оболочки. В этом случае,
по-видимому, между этими анионами имеется непосредственно
валентная связь, которая будет обусловливать в зависимости от
прочности     этой   связи    или   изменение     нормальных
полупроводниковых свойств, или металлическую проводимость.
                                                            o
Так, в соединении InBi расстояние между атомами Bi (3.68 A )
                                                       o
гораздо меньше ван-дер-ваальсового диаметра Bi (~4.4 A ). Это
заставляет предполагать, что между атомами Bi имеется

                                                            7