Структурная обусловленность свойств. Часть 2. Кристаллохимия полупроводников. Кристаллохимия сверхпроводников. Кузьмичева Г.М. - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

8
непосредственная валентная связь (b≠0), т.е. условия,
необходимые для возникновения полупроводимости, не
удовлетворяются. Это согласуется с наблюдаемой металлической
проводимостью InBi. Напротив, в полупроводниковом соединении
InSb, которое имеет структуру сфалерита с межатомными
расстояниями Sb-Sb=4.58
A
o
, т.е. даже больше ван-дер-
ваальсового диаметра Sb (~4.2
A
o
), и, следовательно, образование
прямых химических связей между анионами невозможно.
Следствия из правил Мозера-Пирсона
1. Увеличение в формуле числа атомов, стоящих левее
границы Цинтля (Таблица 1), увеличивает возможность
перекрывания пустых орбит и, следовательно, уменьшает
вероятность возникновения полупроводимости;
2. В ряду полианионных соединений с формулой AX
m
, где Х-
элементы IV, V, VI, VII групп Периодической системы (Таблица 1),
разность 8-(e
A
+e
X
)/m=b будет максимальной для элементов IV
группы и минимальной для элементов VI группы, т.е. образование
полианионов наиболее характерно для соединений с Ge, Si, P, As,
Sb и халькогенидов (соединений с S, Se, Te), но невероятно для
галогенидов (соединений с F, Cl, Br, I). Увеличение в формуле
соединения числа компонентов, стоящих правее границы Цинтля
(Таблица 1), усложняет строение полианиона: наиболее
разветвленный каркас полианионов характерен для элементов IV и
V групп Периодической системы (Таблица 1), наиболее
примитивный - для халькогенидов. Заметим, что в данном случае
сравниваются соединения с одинаковыми формульными
коэффициентами.
3. Правило Юм-Розери , согласно которому число связей (К)
в структурах простых ковалентных веществ IV-VII групп
Периодической системы равно К = 8-N (N-номер группы в
Периодической таблице), относящееся к строению простых
веществ, стоящих правее границы Цинтля (Таблица 1), является
частным случаем правила Пирсона: 8-N=b, (e
A
+e
X
)/m=N.
непосредственная валентная связь (b≠0), т.е. условия,
необходимые     для   возникновения      полупроводимости,    не
удовлетворяются. Это согласуется с наблюдаемой металлической
проводимостью InBi. Напротив, в полупроводниковом соединении
InSb, которое имеет структуру сфалерита с межатомными
                           o
расстояниями Sb-Sb=4.58 A , т.е. даже больше ван-дер-
                              o
ваальсового диаметра Sb (~4.2 A ), и, следовательно, образование
прямых химических связей между анионами невозможно.

    Следствия из правил Мозера-Пирсона
     1. Увеличение в формуле числа атомов, стоящих левее
границы Цинтля (Таблица 1), увеличивает возможность
перекрывания пустых орбит и, следовательно, уменьшает
вероятность возникновения полупроводимости;
    2. В ряду полианионных соединений с формулой AXm, где Х-
элементы IV, V, VI, VII групп Периодической системы (Таблица 1),
разность 8-(eA+eX)/m=b будет максимальной для элементов IV
группы и минимальной для элементов VI группы, т.е. образование
полианионов наиболее характерно для соединений с Ge, Si, P, As,
Sb и халькогенидов (соединений с S, Se, Te), но невероятно для
галогенидов (соединений с F, Cl, Br, I). Увеличение в формуле
соединения числа компонентов, стоящих правее границы Цинтля
(Таблица 1), усложняет строение полианиона: наиболее
разветвленный каркас полианионов характерен для элементов IV и
V групп Периодической системы (Таблица 1), наиболее
примитивный - для халькогенидов. Заметим, что в данном случае
сравниваются соединения с одинаковыми формульными
коэффициентами.
    3. Правило Юм-Розери , согласно которому число связей (К)
в структурах простых ковалентных веществ IV-VII групп
Периодической системы равно К = 8-N (N-номер группы в
Периодической таблице), относящееся к строению простых
веществ, стоящих правее границы Цинтля (Таблица 1), является
частным случаем правила Пирсона: 8-N=b, (eA+eX)/m=N.

8

Страницы