Структурная обусловленность свойств. Часть III. Кристаллохимия лазерных кристаллов. Кузьмичева Г.М. - 12 стр.

                              23                                                          24
занимающих эти позиции для граней 211 и 110 , гораздо        температуры на границе раздела фаз и скорости вытягивания
больше, чем для граней 100 и 111 . Поэтому в области         препятствует образованию полос роста вдоль оси кристалла, а
“гранного” дефекта по сравнению со свободной от него         подбор условий перемешивания расплава в тигле позволяет
областью содержание катионов в указанных позициях будет      управлять их образованием в поперечном сечении. От
различным. Из сравнения плотности сеток катионов для         секториального роста можно избавиться, формируя плоский
                                                             фронт кристаллизации, что достаточно легко выполнимо при
граней 211 и 110 видно, что последние имеют гораздо
                                                             выращивании как ИСГГ, так и других скандий-галлиевых
меньшую ретикулярную плотность для обоих типов катионов
                                                             гранатов. Спрямлением фронта кристаллизации можно
и, следовательно, на них будут происходить менее сильные
                                                             практически подавить образование “гранного” дефекта для
изменения состава.
                                                             кристаллов ГСАГ. Однако, несмотря на кажущуюся простоту
   При оценке структурного совершенства кристаллов ГСАГ
                                                             решения этих проблем, необходимо отметить, что за счѐт
методом двукристального топографического спектрометра
                                                             малой устойчивости систем Ln2O3- Sc2O3-M2O3 (где Ln= Gd,
(ДТС) обнаружено, что на кривых дифракционного
                                                             Y; M= Ga,Al), выражающейся в резком изменении состава
отражения не наблюдалось сколько-нибудь заметного
                                                             при незначительном изменении условий выращивания,
уширения по сравнению с рассчитанной величиной, что в
                                                             требования к стабильности этих условий становятся очень
общем случае должно свидетельствовать о высоком
                                                             жѐсткими. Введение активирующих примесей для получения
структурном совершенстве образцов. Также в данных
                                                             стимулированного       излучения      будет      вызывать
образцах отсутствуют такие дефекты как, например, ростовая
                                                             дополнительные дефекты (“лучевой” дефект, поперечная
полосчатость, присущая кристаллам гадолиний-галлиевого и
                                                             полосчатость). Поэтому, при подборе условий выращивания
иттрий-скандий-галлиевого гранатов, полученных также
                                                             кристалла, а также выборе состава активной матрицы
методом Чохральского. Подобный факт связан с
                                                             необходимо учитывать также поведение активирующей
особенностями массопереноса в расплавах скандий-
                                                             примеси (коэффициент распределения и др. параметры).
аллюминиевых гранатов по сравнению с аналогичными
галлиевыми гранатами, обусловленными их более высокой        I.2. Лазерные кристаллы, активированные ионами
вязкостью, а также с технологией выращивания - размерами
тигля, скоростью вращения кристалла и др. Однако для
                                                                                   Cr4+
данных образцов характерно сильное растрескивание как в         Ионы хрома с нетрадиционным формальным зарядом Cr4+
центральной части, так и на периферии по характерным         входят    в   тетраэдрические    позиции    структуры   и
концентрическим окружностям, что указывает на наличие        демонстрируют широкополосное излучение в области 1.3-1.5
“гранного” дефекта в исследованных кристаллах ГСАГ.          мкм,    применяемое    для    создания    перестраиваемых
   Улучшения однородности можно добиться чисто               твердотельных лазеров. Другим важным применением
техническими приѐмами. Например, стабилизация                кристаллов, допированных ионами Cr4+, является их