Электронные промышленные устройства. Кузнецов Б.Ф. - 77 стр.

UptoLike

Составители: 

77
2.6. ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Ключевые понятия раздела
Постоянное запоминающее устройство. Организация ПЗУ. Перепрограмируем-
мые ПЗУ. ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием. Флеш память.
Все рассмотренные ранее элементы и узлы называются комбинационными, так как у каждо-
го из них выход однозначно определяется набором входных сигналов. Возможен другой класс ло-
гических узлов, в котором каждый набор входных переменных представляет собой адрес, позво-
ляющий прочитать заранее установленное содержимое той или иной ячейки. Подобным свойством
может обладать мультиплексор: если на сигнальные входы поданы константы 0 или 1, то каждому
управляющему слову ставится в соответствие заданная константа. Современные полупроводнико-
вые запоминающие устройства (ЗУ) должны оперировать большим числом ячеек памяти, поэтому
они строятся на иных принципах.
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ,
англ. ROM Read-Only Memory) различаются спосо-
бами первоначальной записи информации. В ПЗУ ма-
сочного типа, программируемых изготовителем в
процессе производства. Так выполняются ПЗУ для
хранения стандартных таблиц, символов для воспро-
изведения на экране, программ электронных игр и т.
д. В противоположность этому ПЗУ, программируе-
мые пользователем (ППЗУ, PROM англ.
Programmable Read-Only Memory), выпускаются в ви-
де «чистой страницы», где в каждой ячейке записаны
только нули. Пользователю предоставляется воз-
можность запрограммировать ПЗУ, т. е. записать ло-
гические единицы в любую ячейку. Возможность из-
менения содержимого ППЗУ ограничивается записью
единиц в те ячейки, содержимое которых осталось
равным нулю. Это объясняется необратимым характе-
ром записи, которая осуществляется пробоем перехо-
да импульсом напряжения или разрушением плавкой
перемычки импульсом тока. ППЗУ представляет со-
бой удобный материал для реализации широкого
класса функциональных узлов на единой элементной
и технологической основе, изменяется лишь програм-
ма записи.
Существует класс ПЗУ, которые допускают не-
однократное изменение содержимого (репрограмми-
руемые ПЗУ РПЗУ, EPROM англ. Erasable
Programmable Read-Only Memory,). Смена информа-
ции связана с извлечением модуля РПЗУ из устрой-
ства, помещением его в прибор для стирания записан-
ной и записи новой информации (для флеш-памяти извлечение из устройства не требуется). Сти-
рание осуществляется либо ультрафиолетовым облучением кристалла, либо воздействием элек-
трическими сигналами. Перепрограммирование может производиться от нескольких десятков раз
до сотни тысяч в зависимости от типа памяти, а записанная информация храниться длительно
при отключенном питании.
Рис. 2.48. Схема постоянного запомина-
ющего устройства , построенная на
мультиплексоре (а) и условное графиче-
ское обозначение (б).
                                                                                            77

                 2.6. ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА

                       Ключевые понятия раздела
                        Постоянное запоминающее устройство. Организация ПЗУ. Перепрограмируем-
                        мые ПЗУ. ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием. Флеш память.

       Все рассмотренные ранее элементы и узлы называются комбинационными, так как у каждо-
го из них выход однозначно определяется набором входных сигналов. Возможен другой класс ло-
гических узлов, в котором каждый набор входных переменных представляет собой адрес, позво-
ляющий прочитать заранее установленное содержимое той или иной ячейки. Подобным свойством
может обладать мультиплексор: если на сигнальные входы поданы константы 0 или 1, то каждому
управляющему слову ставится в соответствие заданная константа. Современные полупроводнико-
вые запоминающие устройства (ЗУ) должны оперировать большим числом ячеек памяти, поэтому
они строятся на иных принципах.
                                                   Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ,
                                            англ. ROM — Read-Only Memory) различаются спосо-
                                            бами первоначальной записи информации. В ПЗУ ма-
                                            сочного типа, программируемых изготовителем в
                                            процессе производства. Так выполняются ПЗУ для
                                            хранения стандартных таблиц, символов для воспро-
                                            изведения на экране, программ электронных игр и т.
                                            д. В противоположность этому ПЗУ, программируе-
                                            мые пользователем (ППЗУ, PROM — англ.
                                            Programmable Read-Only Memory), выпускаются в ви-
                                            де «чистой страницы», где в каждой ячейке записаны
                                            только нули. Пользователю предоставляется воз-
                                            можность запрограммировать ПЗУ, т. е. записать ло-
                                            гические единицы в любую ячейку. Возможность из-
                                            менения содержимого ППЗУ ограничивается записью
                                            единиц в те ячейки, содержимое которых осталось
                                            равным нулю. Это объясняется необратимым характе-
                                            ром записи, которая осуществляется пробоем перехо-
                                            да импульсом напряжения или разрушением плавкой
                                            перемычки импульсом тока. ППЗУ представляет со-
                                            бой удобный материал для реализации широкого
                                            класса функциональных узлов на единой элементной
                                            и технологической основе, изменяется лишь програм-
                                            ма записи.
                                                   Существует класс ПЗУ, которые допускают не-
   Рис. 2.48. Схема постоянного запомина-   однократное изменение содержимого (репрограмми-
   ющего устройства        , построенная на руемые ПЗУ — РПЗУ, EPROM — англ. Erasable
    мультиплексоре (а) и условное графиче-  Programmable Read-Only Memory,). Смена информа-
             ское обозначение (б).
                                            ции связана с извлечением модуля РПЗУ из устрой-
                                            ства, помещением его в прибор для стирания записан-
ной и записи новой информации (для флеш-памяти извлечение из устройства не требуется). Сти-
рание осуществляется либо ультрафиолетовым облучением кристалла, либо воздействием элек-
трическими сигналами. Перепрограммирование может производиться от нескольких десятков раз
до сотни тысяч в зависимости от типа памяти, а записанная информация — храниться длительно
при отключенном питании.