ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
77
2.6. ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Ключевые понятия раздела
Постоянное запоминающее устройство. Организация ПЗУ. Перепрограмируем-
мые ПЗУ. ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием. Флеш память.
Все рассмотренные ранее элементы и узлы называются комбинационными, так как у каждо-
го из них выход однозначно определяется набором входных сигналов. Возможен другой класс ло-
гических узлов, в котором каждый набор входных переменных представляет собой адрес, позво-
ляющий прочитать заранее установленное содержимое той или иной ячейки. Подобным свойством
может обладать мультиплексор: если на сигнальные входы поданы константы 0 или 1, то каждому
управляющему слову ставится в соответствие заданная константа. Современные полупроводнико-
вые запоминающие устройства (ЗУ) должны оперировать большим числом ячеек памяти, поэтому
они строятся на иных принципах.
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ,
англ. ROM — Read-Only Memory) различаются спосо-
бами первоначальной записи информации. В ПЗУ ма-
сочного типа, программируемых изготовителем в
процессе производства. Так выполняются ПЗУ для
хранения стандартных таблиц, символов для воспро-
изведения на экране, программ электронных игр и т.
д. В противоположность этому ПЗУ, программируе-
мые пользователем (ППЗУ, PROM — англ.
Programmable Read-Only Memory), выпускаются в ви-
де «чистой страницы», где в каждой ячейке записаны
только нули. Пользователю предоставляется воз-
можность запрограммировать ПЗУ, т. е. записать ло-
гические единицы в любую ячейку. Возможность из-
менения содержимого ППЗУ ограничивается записью
единиц в те ячейки, содержимое которых осталось
равным нулю. Это объясняется необратимым характе-
ром записи, которая осуществляется пробоем перехо-
да импульсом напряжения или разрушением плавкой
перемычки импульсом тока. ППЗУ представляет со-
бой удобный материал для реализации широкого
класса функциональных узлов на единой элементной
и технологической основе, изменяется лишь програм-
ма записи.
Существует класс ПЗУ, которые допускают не-
однократное изменение содержимого (репрограмми-
руемые ПЗУ — РПЗУ, EPROM — англ. Erasable
Programmable Read-Only Memory,). Смена информа-
ции связана с извлечением модуля РПЗУ из устрой-
ства, помещением его в прибор для стирания записан-
ной и записи новой информации (для флеш-памяти извлечение из устройства не требуется). Сти-
рание осуществляется либо ультрафиолетовым облучением кристалла, либо воздействием элек-
трическими сигналами. Перепрограммирование может производиться от нескольких десятков раз
до сотни тысяч в зависимости от типа памяти, а записанная информация — храниться длительно
при отключенном питании.
Рис. 2.48. Схема постоянного запомина-
ющего устройства , построенная на
мультиплексоре (а) и условное графиче-
ское обозначение (б).
77
2.6. ПОСТОЯННЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Ключевые понятия раздела
Постоянное запоминающее устройство. Организация ПЗУ. Перепрограмируем-
мые ПЗУ. ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием. Флеш память.
Все рассмотренные ранее элементы и узлы называются комбинационными, так как у каждо-
го из них выход однозначно определяется набором входных сигналов. Возможен другой класс ло-
гических узлов, в котором каждый набор входных переменных представляет собой адрес, позво-
ляющий прочитать заранее установленное содержимое той или иной ячейки. Подобным свойством
может обладать мультиплексор: если на сигнальные входы поданы константы 0 или 1, то каждому
управляющему слову ставится в соответствие заданная константа. Современные полупроводнико-
вые запоминающие устройства (ЗУ) должны оперировать большим числом ячеек памяти, поэтому
они строятся на иных принципах.
Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ,
англ. ROM — Read-Only Memory) различаются спосо-
бами первоначальной записи информации. В ПЗУ ма-
сочного типа, программируемых изготовителем в
процессе производства. Так выполняются ПЗУ для
хранения стандартных таблиц, символов для воспро-
изведения на экране, программ электронных игр и т.
д. В противоположность этому ПЗУ, программируе-
мые пользователем (ППЗУ, PROM — англ.
Programmable Read-Only Memory), выпускаются в ви-
де «чистой страницы», где в каждой ячейке записаны
только нули. Пользователю предоставляется воз-
можность запрограммировать ПЗУ, т. е. записать ло-
гические единицы в любую ячейку. Возможность из-
менения содержимого ППЗУ ограничивается записью
единиц в те ячейки, содержимое которых осталось
равным нулю. Это объясняется необратимым характе-
ром записи, которая осуществляется пробоем перехо-
да импульсом напряжения или разрушением плавкой
перемычки импульсом тока. ППЗУ представляет со-
бой удобный материал для реализации широкого
класса функциональных узлов на единой элементной
и технологической основе, изменяется лишь програм-
ма записи.
Существует класс ПЗУ, которые допускают не-
Рис. 2.48. Схема постоянного запомина- однократное изменение содержимого (репрограмми-
ющего устройства , построенная на руемые ПЗУ — РПЗУ, EPROM — англ. Erasable
мультиплексоре (а) и условное графиче- Programmable Read-Only Memory,). Смена информа-
ское обозначение (б).
ции связана с извлечением модуля РПЗУ из устрой-
ства, помещением его в прибор для стирания записан-
ной и записи новой информации (для флеш-памяти извлечение из устройства не требуется). Сти-
рание осуществляется либо ультрафиолетовым облучением кристалла, либо воздействием элек-
трическими сигналами. Перепрограммирование может производиться от нескольких десятков раз
до сотни тысяч в зависимости от типа памяти, а записанная информация — храниться длительно
при отключенном питании.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 75
- 76
- 77
- 78
- 79
- …
- следующая ›
- последняя »
