Электронные промышленные устройства. Кузнецов Б.Ф. - 79 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

АГТА | Ангарск

Составители: 

Рубрика: 

79
Рис. 2.50. Структура диодного ППЗУ.
Диоды имеют очень тонкие выводы из хромоникелевого сплава (от 20 до 30 нм в ширину,
100 нм толщиной). Если ток превышает определенное значение, то эти выводы перегорают. Для
программирования ППЗУ требуется особенное устройство, называемое программатор. Програм-
мирование ППЗУ необратимо,в случае ошибки исправления или перезапись невозможна.
2.6.3. Перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства
Различают две группы перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств. В од-
ной группе информация удаляется ультрафиолетовым излучением. Постоянные запоминающие
устройства этой разновидности называются СППЗУ – стираемое программируемое постоянное
запоминающее устройство.
Стираемые программируемые постоянные запоминающие устройства второй группы пере-
программируются электрическим напряжением. Для них принято сокращение EEROM (англ. –
Electrically Erasable Read Only Memory) и EAROM (англ. – Electrically Alterable Read Only Memory
— электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства).
Запоминающий элемент для 1-го бита состоят из двух полевых транзисторов, в основном
применяются n-MОП полевые транзисторы.Первый транзистор является транзистором выборки,
второй транзистор – транзистором памяти.
Рис. 2.51. Структура транзистора с плавающим затвором. 
                                                                                             79




                            Рис. 2.50. Структура     диодного ППЗУ.

      Диоды имеют очень тонкие выводы из хромоникелевого сплава (от 20 до 30 нм в ширину,
100 нм толщиной). Если ток превышает определенное значение, то эти выводы перегорают. Для
программирования ППЗУ требуется особенное устройство, называемое программатор. Програм-
мирование ППЗУ необратимо,в случае ошибки исправления или перезапись невозможна.


         2.6.3. Перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства

       Различают две группы перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств. В од-
ной группе информация удаляется ультрафиолетовым излучением. Постоянные запоминающие
устройства этой разновидности называются СППЗУ – стираемое программируемое постоянное
запоминающее устройство.
       Стираемые программируемые постоянные запоминающие устройства второй группы пере-
программируются электрическим напряжением. Для них принято сокращение EEROM (англ. –
Electrically Erasable Read Only Memory) и EAROM (англ. – Electrically Alterable Read Only Memory
— электрически перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства).
       Запоминающий элемент для 1-го бита состоят из двух полевых транзисторов, в основном
применяются n-MОП полевые транзисторы.Первый транзистор является транзистором выборки,
второй транзистор – транзистором памяти.




                     Рис. 2.51. Структура транзистора с плавающим затвором.

Страницы