Электронные промышленные устройства. Кузнецов Б.Ф. - 80 стр.

80

       Затвор транзистора памяти окружен материалом с высоким сопротивлением, рис. 2.51. Он
ни к чему не присоединен. Такой затвор называется плавающим. В стертом состоянии плавающий
затвор не заряжен,транзистор заперт.
       ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием строится на основе запоминающей матрицы построен-
ной на ячейках памяти, внутреннее устройство которой приведено на следующем рис. 2.51.
       При облучении микросхемы, изолирующие свойства оксида кремния теряются и накоплен-
ный заряд из плавающего затвора стекает в объем полупроводника и транзистор запоминающей
ячейки переходит в закрытое состояние. Количество циклов записи - стирания микросхем находит-
ся в диапазоне от 10 до 100 раз, после чего микросхема выходит из строя. Это связано с разруша-
ющим воздействием ультрафиолетового излучения.
       Корпус с кварцевым окошком достаточно дорог, а также малое количество циклов записи -
стирания привели к поиску способов стирания информации из ППЗУ электрическим способом.
Достаточно широко распространены микросхемы с электрическим стиранием информации. В ка-
честве запоминающей ячейки в них используются такие же ячейки как и в РПЗУ, но они стираются
электрическим потенциалом, поэтому количество циклов записи - стирания для этих микросхем
достигает 1000000 раз. Время стирания ячейки памяти в таких микросхемах уменьшается до 10 мс.
       Одной из разновидностей EEPROM является флэш-память (англ. Flash Memory).
           Флеш-память была изобретена Фудзи Масуока, когда он работал в Toshiba в 1984 году. Имя
           «флеш» было придумано также в Toshiba коллегой Фудзи, Сѐдзи Ариизуми, потому что процесс
           стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash). Масуока представил
           свою разработку на IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-
           Франциско, Калифорния. Intel увидела большой потенциал в изобретении и в 1988 году выпу-
           стила первый коммерческий флеш-чип.

      Флеш-память хранит информацию в массиве транзисторов с плавающим затвором, называ-
емых ячейками. В традиционных устройствах с одноуровневыми ячейками каждая из них может
хранить только один бит. Некоторые новые устройства с многоуровневыми ячейками могут хра-
нить больше одного бита, используя разный уровень электрического заряда на плавающем затворе
транзистора.

                                    Вопросы для самопроверки
    Для чего используются ПЗУ?
    Что является основным преимуществом перепрограммируемых ПЗУ?
    Перечислите способы удаления информации из перепрограммируемых ПЗУ.
    Недостатки ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием.