ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
3
ВВЕДЕНИЕ
Лабораторные работы выполняются на универсальном лабораторном
стенде СТЭЛ-2, который состоит из основного блока и набора сменных блоков
(СБ).
Основной блок содержит:
- восемь стабилизированных источников питания, три из которых регулируемые
(-Е1, +Е2, Е3);
- генератор синусоидальных сигналов с регулировкой частоты в трех
поддиапазонах от 20 Гц до 200 кГц и амплитуды
выходного сигнала от 0 до
5В;
- формирователи прямоугольных импульсов с регулировкой амплитуды,
полярности и длительности импульсов, частота импульсов задается
генератором синусоидальных сигналов;
- пять измерительных приборов магнитоэлектрической системы, четыре из
которых (1, 2, 3 и 4) могут быть в зависимости от исследуемой схемы
миллиамперметрами, микроамперметрами или вольтметрами, а прибор 5 -
только вольтметром, с переключаемым пределом измерения
и блоком
защиты от перегрузки.
На лицевой панели основного блока расположены органы регулировки
встроенных источников питания Е1 (0...-10 В), Е2 (0...+10 В) и Е3 (-5...0...+5 В),
генератора синусоидальных сигналов и формирователя импульсов, а также
переключатели для коммутаций в исследуемых схемах П1...П6.
Сменный блок содержит печатную плату, на которой смонтирована
исследуемая схема. Верхняя крышка
сменного блока прозрачная, и через нее
выведены гнезда для подключения осциллографа в контрольные точки
исследуемой схемы. Для большей наглядности печатные проводники и детали
размещены на стороне платы, обращенной к наблюдателю.
В одном сменном блоке может быть размещено до трех исследуемых схем,
относящихся к одной или к разным лабораторным работам.
ЛАБОРАТОРНАЯ
РАБОТА №1
Исследование вольт-амперной характеристики полупроводникового диода
Цель работы: изучение вольт-амперной характеристики (ВАХ) точечного
германиевого полупроводникового диода и определение его динамического
сопротивления при прямом и обратном смещении.
Теоретические сведения
Полупроводниковый диод представляет собой двухслойную структуру,
которая образуется в одном кристалле. Один слой имеет электропроводность n-
типа, другой p-типа. Эти слои
разделены слоем с собственной
электропроводностью; в нем сосредоточен пространственный заряд
положительно заряженных ионов донорной примеси со стороны полупроводника
n-типа и отрицательно заряженных ионов акцепторной примеси - со стороны
полупроводника p-типа. Этот слой называется запирающим, так как его
электрическое поле препятствует движению основных носителей заряда и
