Электроника. Лабунский Л.С. - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СамГУПС | Самара

Составители: 

Рубрика: 

4
способствует движению неосновных носителей. Такая структура называется
электронно-дырочным или p-n переходом.
Основным свойством p-n перехода является его односторонняя
электропроводимость. При прямом смещении p-n перехода (“+” к p-слою, “-“ к n-
слою) его электрическая проводимость возрастает и через переход протекает
ток, сильно зависящий от приложенного прямого напряжения. При обратном
смещении электрическая проводимость перехода уменьшается и через переход
проходит лишь незначительный ток, который слабо зависит от приложенного
обратного напряжения.
Вольт-амперная характеристика диода I(U) приведена на рис.1.1. Кривая
прямого тока расположена в 1-ом квадранте графика, обратного - в 3-ем
квадранте. Из графика видно, что прямой ток сильно зависит от прямого
напряжения.
При увеличении напряжения ток может превысить допустимое
значение I
max
и тогда произойдет пробой p-n перехода из-за общего перегрева.
При напряжениях, больших по абсолютному значению U
обр max
, обратный ток
диода резко возрастает и происходит пробой p-n перехода из-за быстрого
местного перегрева (поскольку обратный ток проходит не по всему объему
кристалла, а по участкам наименьшего обратного сопротивления).
U
ПР
,В
0,5 1
I
ПР
,мА
20
U
ОБР
,В 20
I
ОБР
,мкА
5
Рис.1.1. Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода
Порядок выполнения работы
1. Включить стенд СТЭЛ-2.
2. Скоммутировать цепь прямого включения диода с помощью переключателей
П3...П6, ориентируясь по принципиальной схеме сменного блока СБ-1,
изображенной на рис.2. Положение переключателей (верхнее или нижнее) на
рис.2 соответствует их положению на панели стенда СТЕЛ-2.
Снять прямую ветвь
статической ВАХ диода. Напряжение на диоде
устанавливать изменением -Е1 и +Е2. При снятии прямой ветви ВАХ диода
предел измерения миллиамперметра А2 равен 20 мА, а вольтметра V4 = 1В.
Результаты измерений занести в таблицу 1.1.

Страницы