Электроника. Лабунский Л.С. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СамГУПС | Самара

Составители: 

Рубрика: 

6
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА N2
Исследование полупроводникового стабилитрона и параметрического
стабилизатора напряжения
Цель работы: определение основных параметров полупроводникового
стабилитрона и исследование параметрического стабилизатора.
Теоретические сведения
Полупроводниковым стабилитроном называют кремниевый диод,
способный длительно работать в области лавинного пробоя p-n перехода при
приложении обратного напряжения.
Прямая ветвь ВАХ стабилитрона ничем не отличается от ВАХ обычного
кремниевого диода, а обратная ветвь из-за специальной конструкции и малой
концентрации примесей в p-n переходе обладает "жесткой" формой в зоне
электрического (лавинного) пробоя.
Вид ВАХ стабилитрона представлен на рис.2.1.
0
U
обр
I
обр
I
ст.мин
I
ст.мах
U
ст.мах
U
ст.мин
Рис. 2.1. Вольт-амперная характеристика стабилитрона
В зоне лавинного пробоя на рабочем участке АВ характеристики
напряжение на стабилитроне меняется весьма мало. Границы рабочего участка
определяются с одной стороны минимальным током стабилизации I
ст.мин
, при
котором возникает устойчивый лавинный пробой, а с другой стороны
максимальным током стабилизации I
ст.мах
, при котором p-n переход нагревается
до предельно допустимой температуры.
Основными параметрами стабилитронов являются:
- номинальное напряжение стабилизации U
ст.ном
;
- номинальный ток стабилизации I
ст.ном
;
- допустимая мощность рассеяния Р
ст
;
- динамическое сопротивление r
ст
;
- температурный коэффициент стабилизации напряжения (ТКСН).
Наиболее часто стабилитроны применяются в схемах стабилизации
напряжения. Простейшая схема параметрического стабилизатора постоянного
напряжения представляет собой делитель напряжения из резистора Rогр (его

Страницы