Электричество и магнетизм. Ч.1. Ланкина М.П - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОмГУ | Омск

Составители: 

Рубрика: 

29
Задание 3. Исследование кремниевого полупроводникового дио-
да (Si) (снятие данных ВАХ в прямом направлении).
Повторить все действия по снятию экспериментальных данных U
и I для Si-диода в прямом направлении в соответствии с предыдущими
заданиями, собрав схему по рис. 3. Предыдущая экспериментальная схе-
ма также полностью не разбирается, а переключаются диоды на лабора-
торной
панели.
+
1 2
Si
+
V
мА
+
+
Рис. 3: 1 – источник питания постоянного тока,
2 – кремниевый полупроводниковый диод на лабораторной панели
Задание 4. Исследование селенового, германиевого и кремниево-
го полупроводниковых диодов (снятие данных ВАХ в обратном направ-
лении).
В соответствии с рис. 4 и рис. 5 собрать экспериментальные схе-
мы для снятия данных U и I в обратном направлении для селенового,
германиевого
и кремниевого полупроводниковых диодов. Руководство-
ваться порядком работы в предыдущих заданиях.
Полностью схему не разбирать, менять лишь полярность диодов
на лабораторной панели. Напряжение на источнике при изменениях в
схеме обязательно выводить на нуль!
На амперметре перед снятием данных обратных U и I диодов из-
менить предел измерения в сторону уменьшения,
т. к. обратные токи
диодов значительно меньше прямых. Напряжение для обратных токов,
наоборот, может быть гораздо большим, чем для прямых. Оно может
составлять единицы вольт.
30
+
1
2
Se
+
V
µА
+
+
Рис. 4: 1 – источник питания постоянного тока,
2 – селеновый полупроводниковый диод на лабораторной панели
+
1
2
Ge
или
Si
+
V
µА
+
+
Рис. 5: 1 – источник питания постоянного тока, 2 – германиевый
или кремниевый полупроводниковый диод на лабораторной панели
Задание 5. Построить графики ВАХ селенового, германиевого и
кремниевого диодов в прямом и обратном направлениях.
(См. выше примечания к ходу работы).
Задание 6. Вычисление по формуле коэффициента выпрямления.
Коэффициент выпрямления α для диодов вычисляют по формуле
(1) несколько
раз. Необходимо учитывать, что
α
вычисляется только
при одинаковых значениях напряжения, приложенного к диодам. Чем
больше значение α, тем более технологически совершенен данный по-
лупроводниковый диод. 
       Задание 3. Исследование кремниевого полупроводникового дио-                                                                  2
да (Si) (снятие данных ВАХ в прямом направлении).                          1
       Повторить все действия по снятию экспериментальных данных U                  +               +                   Se
и I для Si-диода в прямом направлении в соответствии с предыдущими                              V
заданиями, собрав схему по рис. 3. Предыдущая экспериментальная схе-
ма также полностью не разбирается, а переключаются диоды на лабора-                                                           +
торной панели.

     1       +               +                              2                                                     µА
                                                Si    +                                                                   +
                         V                                                         Рис. 4: 1 – источник питания постоянного тока,
                                                                           2 – селеновый полупроводниковый диод на лабораторной панели


                                           мА                                                                                       2
                                                                           1
                                                 +                                 +                +               Ge
           Рис. 3: 1 – источник питания постоянного тока,                                      V                    или
   2 – кремниевый полупроводниковый диод на лабораторной панели                                                      Si
                                                                                                                              +
      Задание 4. Исследование селенового, германиевого и кремниево-
го полупроводниковых диодов (снятие данных ВАХ в обратном направ-
лении).
                                                                                                                  µА
                                                                                                                          +
      В соответствии с рис. 4 и рис. 5 собрать экспериментальные схе-
мы для снятия данных U и I в обратном направлении для селенового,         Рис. 5: 1 – источник питания постоянного тока, 2 – германиевый
германиевого и кремниевого полупроводниковых диодов. Руководство-         или кремниевый полупроводниковый диод на лабораторной панели
ваться порядком работы в предыдущих заданиях.
      Полностью схему не разбирать, менять лишь полярность диодов            Задание 5. Построить графики ВАХ селенового, германиевого и
на лабораторной панели. Напряжение на источнике при изменениях в        кремниевого диодов в прямом и обратном направлениях.
схеме обязательно выводить на нуль!                                          (См. выше примечания к ходу работы).
      На амперметре перед снятием данных обратных U и I диодов из-
менить предел измерения в сторону уменьшения, т. к. обратные токи             Задание 6. Вычисление по формуле коэффициента выпрямления.
диодов значительно меньше прямых. Напряжение для обратных токов,              Коэффициент выпрямления α для диодов вычисляют по формуле
наоборот, может быть гораздо большим, чем для прямых. Оно может         (1) несколько раз. Необходимо учитывать, что α вычисляется только
составлять единицы вольт.                                               при одинаковых значениях напряжения, приложенного к диодам. Чем
                                                                        больше значение α, тем более технологически совершенен данный по-
                                                                        лупроводниковый диод.



                                 29                                                                     30

Страницы