Электротехника и электроника. Лавров В.М. - 84 стр.

UptoLike

Составители: 

- надежность;
- малые масса и габариты.
Одним из главных направлений развития полупроводниковой элек-
троники в последние десятилетия являлись интегральная микроэлектро-
ника.
В последние годы широкое применение получили полупроводнико-
вые интегральные микросхемы (ИС).
Микросхемамикроминиатюрный функциональный узел электрон-
ной аппаратуры, в котором элементы и соединительные провода изготав-
ливаются в едином технологическом цикле на поверхности или в объеме
полупроводника и имеют общую герметическую оболочку.
В больших интегральных схемах (БИС) количество элементов (рези-
сторов, диодов, конденсаторов, транзисторов и т.д.) достигает нескольких
сотен тысяч, а их минимальные размеры составляют 2…3 мкм. Быстродей-
ствие БИС привело к созданию микропроцессоров и микрокомпьютеров.
В последнее время широкое развитие получил новый раздел науки и
техникиоптоэлектроника. Физическую основу оптоэлектроники состав-
ляют процессы преобразования электрических сигналов в оптические и
обратно, а также процессы распространения излучения в различных сре-
дах.
Оптоэлектроника открывает реальные пути преодоления противоре-
чия между интегральной полупроводниковой электроникой и традицион-
ными электрорадиокомпонентами (резисторы переменные, кабели, разъе-
мы, ЭЛТ, лампы накаливания и т.д.).
Преимуществом оптоэлектроники являются неисчерпаемые возмож-
ности повышения рабочих частот и использование принципа параллельной
обработки информации.
8.2 Полупроводниковые диоды
Полупроводниковый диод (ПД) – прибор с одним n
p
переходом и
двумя выводами.
Он хорошо пропускает ток одного направления и плохо пропускает
ток противоположного направления.
Эти токи и соответствующие им напряжения между выводами полу-
проводникового диода называются прямыми
и обратными токами,
прямыми U и обратными U напряжениями.
пр
I
обр
I
пр обр
На рисунке 8.1 приведено условное изображение полупроводниково-
го диода в схемах электрических цепей и его идеализированная вольтам-
перная характеристика (ВАХ).
Прямой ток
в ПД направлен от одного вывода (анода) к другому
(катоду).
пр
I
166
-  надежность;
-  малые масса и габариты.
      Одним из главных направлений развития полупроводниковой элек-
троники в последние десятилетия являлись интегральная микроэлектро-
ника.
      В последние годы широкое применение получили полупроводнико-
вые интегральные микросхемы (ИС).
      Микросхема – микроминиатюрный функциональный узел электрон-
ной аппаратуры, в котором элементы и соединительные провода изготав-
ливаются в едином технологическом цикле на поверхности или в объеме
полупроводника и имеют общую герметическую оболочку.
      В больших интегральных схемах (БИС) количество элементов (рези-
сторов, диодов, конденсаторов, транзисторов и т.д.) достигает нескольких
сотен тысяч, а их минимальные размеры составляют 2…3 мкм. Быстродей-
ствие БИС привело к созданию микропроцессоров и микрокомпьютеров.
      В последнее время широкое развитие получил новый раздел науки и
техники – оптоэлектроника. Физическую основу оптоэлектроники состав-
ляют процессы преобразования электрических сигналов в оптические и
обратно, а также процессы распространения излучения в различных сре-
дах.
      Оптоэлектроника открывает реальные пути преодоления противоре-
чия между интегральной полупроводниковой электроникой и традицион-
ными электрорадиокомпонентами (резисторы переменные, кабели, разъе-
мы, ЭЛТ, лампы накаливания и т.д.).
      Преимуществом оптоэлектроники являются неисчерпаемые возмож-
ности повышения рабочих частот и использование принципа параллельной
обработки информации.

      8.2 Полупроводниковые диоды
      Полупроводниковый диод (ПД) – прибор с одним p − n переходом и
двумя выводами.
      Он хорошо пропускает ток одного направления и плохо пропускает
ток противоположного направления.
      Эти токи и соответствующие им напряжения между выводами полу-
проводникового диода называются прямыми I пр и обратными I обр токами,
прямыми U пр и обратными U обр напряжениями.
      На рисунке 8.1 приведено условное изображение полупроводниково-
го диода в схемах электрических цепей и его идеализированная вольтам-
перная характеристика (ВАХ).
      Прямой ток I пр в ПД направлен от одного вывода (анода) к другому
(катоду).


166