Оптоэлектроника и интегральная оптика. Либерман З.А - 13 стр.

                                        13



                                    ЗАДАНИЕ № 4

                ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ р-i-n ФОТОДИОДА

       Опишите с помощью рисунка конструкцию р-i-n фотодиода и объясните
       воздействие света на него.
4.1. Изобразите энергетическую диаграмму перехода и объясните механизм воз-
   никновения фототока.
4.2.   Приведите вольтамперные характеристики фотодиодов при воздействии на
   него света различной интенсивности (включая нулевую). Будет ли протекать фо-
   тоток при прямом смещении на фотодиоде?
4.3.      Определите пороговую длину волны λ для кремниевого фотодиода.
4.4.   Изобразите распределение электрического поля в р-i-n структуре при прило-
   жении обратного смещения. Рассмотрите кратко факторы, определяющие эффек-
   тивность превращения световой энергии в электрическую в таких фотодиодах
4.5.      Назовите основные технологические процессы создания данной структуры.

       Литература

1. Полупроводниковые фотоприемники. Ультрафиолетовый, видимый и ближний
   инфракрасный диапазоны спектра / Под ред. проф. В.И. Стафеева - М.: Радио и
   связь.- 1984.- 216 с.
4. Мартынов В.Н., Кольцов Г.И. Полупроводниковая оптоэлектроника. - М.: МИ-
   СИС, 1999. – 399 с.