Оптоэлектроника и интегральная оптика. Либерман З.А - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

11
ЗАДАНИЕ № 3
ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ ДГС ЛАЗЕРА
Опишите конструкцию полупроводникового лазера на основе Ga
1-x
Al
x
As,
представленного на рис .1.
Рис . 1. Структура контактного полоскового лазера на Ga
1-x
Al
x
As.
1- диэлектрик ; 2 – контакты .
3.1. Назовите необходимые условия лазерного возбуждения (генерации).
3.2. Назовите характерные особенности полупроводниковых лазеров.
3.3. Перечислите основные свойства лазерного излучения .
3.4. Опишите физические принципы работы данного лазера и изобразите структуру
энергетических зон гетероперехода .
3.5. Определите примерную длину волны излучения ДГС лазера , если ширина за -
прещенной зоны кристалла активного слоя равна 0,88 эВ .
3.6. В чем будет проявляться волноводный эффект удержания носителей для данной
структуры ?
3.7. Назовите основные технологические процессы создания данной структуры . 
                                           11



                                      ЗАДАНИЕ № 3

                   ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ ДГС ЛАЗЕРА

        Опишите конструкцию полупроводникового лазера на основе Ga 1-x Al x As,
        представленного на рис.1.




       Рис. 1. Структура контактного полоскового лазера на Ga 1-x Al x As.
       1- диэлектрик; 2 – контакты.
3.1. Назовите необходимые условия лазерного возбуждения (генерации).
3.2. Назовите характерные особенности полупроводниковых лазеров.
3.3. Перечислите основные свойства лазерного излучения.
3.4. Опишите физические принципы работы данного лазера и изобразите структуру
    энергетических зон гетероперехода.
3.5. Определите примерную длину волны излучения ДГС лазера, если ширина за-
    прещенной зоны кристалла активного слоя равна 0,88 эВ.
3.6. В чем будет проявляться волноводный эффект удержания носителей для данной
    структуры?
3.7. Назовите основные технологические процессы создания данной структуры.

Страницы