Оптоэлектроника и интегральная оптика. Либерман З.А - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

9
ЗАДАНИЕ № 2
ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ СИД НА ГЕТЕРО -
р -п
ПЕРЕХОДЕ
Имеется светоизлучающий диод (СИД), изготовленный на основе твердого раствора
Ga
1-x
Al
x
As c
λ
изл.=825 нм и предназначенный для использования в ВОЛС. Струк-
тура гетеро- СИД и послойное распределение значений ширины запрещенной зоны
представлены на рис .1.
Рис . 1.
а) структура СИД на основе твердого раствора ,
б ) послойное распределение значений ширины запрещенной зоны гетеро- СИД.
2.1. Опишите физические принципы ра
боты СИД и изобразите энергетические
диаграммы в равновесном и рабочем режимах. Перечислите преимущества и
недостатки гетероструктур.
2.2. Охарактеризуйте излучение СИД (когерентное или нет, дискретное или непре-
рывное). Изобразите качественно спектр излучения СИД.
2.3. Назовите основные преимущества и недостатки использования этого материа -
ла
2.4. Рассчитайте энергию фотонов в инфракрасном диапазоне (
λ
=825 нм )
2.5. Предложите конструкцию СИД, оптимальную с точки зрения достижения
максимального значения коэффициента передачи излучения в ВОЛС.
2.6. Перечислите типовые технологические процессы создания СИД. Что создает
основное затруднение при жидкофазном эпитаксиальном выращивании данно-
го дого раствора (см . рис .2)? Как можно управлять градиентом концентрации
Al в выращиваемом cлое?
2.7. Почему в качестве параметра электрического режима выбирают прямой ток
через СИД, а не напряжение на СИД? 
                                       9



                                 ЗАДАНИЕ № 2

       ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ СИД НА ГЕТЕРО- р-п ПЕРЕХОДЕ


Имеется светоизлучающий диод (СИД), изготовленный на основе твердого раствора
Ga 1-x Al x As c λ изл.=825 нм и предназначенный для использования в ВОЛС. Струк-
тура гетеро-СИД и послойное распределение значений ширины запрещенной зоны
представлены на рис.1.




                                      Рис. 1.
а) структура СИД на основе твердого раствора,
б) послойное распределение значений ширины запрещенной зоны гетеро-СИД.
2.1.   Опишите физические принципы работы СИД и изобразите энергетические
       диаграммы в равновесном и рабочем режимах. Перечислите преимущества и
       недостатки гетероструктур.
2.2.    Охарактеризуйте излучение СИД (когерентное или нет, дискретное или непре-
       рывное). Изобразите качественно спектр излучения СИД.
2.3.    Назовите основные преимущества и недостатки использования этого материа-
       ла
2.4.    Рассчитайте энергию фотонов в инфракрасном диапазоне (λ=825 нм)
2.5.   Предложите конструкцию СИД, оптимальную с точки зрения достижения
       максимального значения коэффициента передачи излучения в ВОЛС.
2.6.    Перечислите типовые технологические процессы создания СИД. Что создает
       основное затруднение при жидкофазном эпитаксиальном выращивании данно-
       го дого раствора (см. рис.2)? Как можно управлять градиентом концентрации
       Al в выращиваемом cлое?
2.7.    Почему в качестве параметра электрического режима выбирают прямой ток
       через СИД, а не напряжение на СИД?

Страницы