Оптоэлектроника и интегральная оптика. Либерман З.А - 8 стр.

                                      8


                                ЗАДАНИЕ № 1

       ФИЗИЧЕСКИЕ ПРИНЦИПЫ РАБОТЫ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА

Необходимо предложить технологические приемы создания и обосновать физиче-
ские принципы работы светоизлучающего диода (СИД) на гомо-р-п переходе, излу-
чающего зеленый свет (λ=555 нм) и предназначенного для использования в качестве
индикатора.
1.1. Проанализируйте содержание задания с целью выбора исходных материалов
   для изготовления тела СИД, если известно, что в технологическом процессе твер-
   дые растворы полупроводниковых веществ не используются.
1.2.   К какому типу полупроводников (прямозонные или нет) относится выбран-
   ный Вами материал, изобразите энергетическую диаграмму излучательных пере-
   ходов.
1.3.   С какой целью в данный полупроводник вводится нейтральная примесь азота?
1.4. Опишите физические принципы работы СИД и изобразите энергетические
   диаграммы в равновесном и рабочем режимах.
1.5.   Перечислите основные технологические процессы создания СИД.э
1.6. Предложите оптимальную конструкцию СИД с целью достижения максималь-
   ного значения внешнего квантового выхода.
1.7. Почему полупроводниковый СИД имеет ширину эмиссионной линии порядка
   сотен ангстрем, в то время как полупроводниковый лазер имеет ширину линии
   около 1 Ǻ?


Литература
1. Мартынов В.Н., Кольцов Г.И. Полупроводниковая оптоэлектроника. - М.: МИ-
   СИС, 1999. – 399 с.
2. Берг Г. Дин П. Светодиоды. - М.: Мир, 1979.-686 с.
3. Носов Ю.Р. Оптоэлектроника.- М.: Радио и связь, 1989. – 360 с.