Оптоэлектроника и интегральная оптика. Либерман З.А - 5 стр.

                               5
7. Изобразите графики энергетической зависимости электронной плотности
   для полупроводника в неравновесном состоянии.
8. Изобразите энергетическую диаграмму известных Вам видов излучатель-
   ной рекомбинации.
9. Перечислите исходные положения теории Ван Русбрека – Шокли.
10. Какую универсальную взаимосвязь устанавливает уравнение Ван Русбрека
   - Шокли ?
11. Что такое излучательное время жизни ?
12. Что такое внутренний квантовый выход люминесценции ?
13. Что такое внешний квантовый выход люминесценции ?
14. Какие полупроводниковые материалы называются прямозонными и какие
   непрямозонными ?
15. Почему вероятность прямых переходов выше, чем непрямых ?
16. Опишите механизмы оптического поглощения и люминесценции с участи-
   ем свободных экситонов. Изобразите энергетическую диаграмму экситон-
   ных уровней.
17. Опишите процесс люминесценции с участием связанных экситонов.
18. Опишите процесс излучательной рекомбинации свободных носителей на
   связанных состояниях. Изобразите энергетическую диаграмму.
19. Опишите процесс межпримесной излучательной рекомбинации. Дайте объ-
   яснения особенностям спектра.
20. Опишите процессы излучательной рекомбинации с участием внутрицен-
   тровых и внутризонных переходов.
21. Опишите известные Вам виды безизлучательной рекомбинации.
22. Опишите процессы Оже рекомбинации.
23. Изобразите энергетическую диаграмму электронно-дырочного перехода с
   сильно легированными областями без смещения и при прямом смещении,
   соответствующем максимуму туннельного тока.
24. Изобразите вольтамперную характеристику электронно-дырочного перехо-
   да с сильно легированными p и n областями и дайте к ней пояснения.
25. Что такое коэффициент инжекции электронно-дырочного перехода?
26. Изобразите энергетическую диаграмму гетеро- р-n перехода при Еg n-
   области большей, чем Еg р-области в равновесном состоянии и при прямом
   смещении, соответствующем максимуму тока инжекции.
27. Перечислите преимущества гетеро- р-n перехода.
28. Что такое светодиод ? Изобразите основные светодиодные структуры и
   дайте к ним пояснения.
29. Перечислите технические параметры светодиодов.
30. Опишите процесс вынужденной рекомбинации.
31. При каком условии вынужденная рекомбинация превалирует над спонтан-
   ной ? Что такое инверсная заселенность ?
32. Перечислите условия возникновения лазерного излучения.
33. В чем заключается волноводный эффект в полупроводниковом лазере ?
34. Опишите конструкцию и технологию изготовления лазера на гомо р-n пе-
   реходе.