ВУЗ:
Рубрика:
3
приборов и устройств оптоэлектроники и интегральной оптики, ознакомление с
их конструкциями, технологией изготовления и областями применения . В ре-
зультате изучения дисциплины студенты должны знать физические принципы
работы приборов и устройств оптоэлектроники и интегральной оптики, уметь
решать практические задачи, связанные с проектированием и разработкой сис -
тем оптоэлектроники и интегральной оптики, иметь представление об основных
тенденциях дальнейшего развития оптоэлектроники и интегральной оптики.
2.3. Перечень дисциплин , усвоение которых необходимо при изучении курса “Оп-
тоэлектроника и интегральная оптика”.
2.3.1. Квантовая механика (квантовая теория излучения ).
2.3.2. Статистическая физика (квантовая статистика ).
2.3.3. Физика твердого тела (оптические свойства твердого тела ).
2.3.4. Физика полупроводников (теория электронно-дырочного перехода , контакта
металл- полупроводник , гетероперехода ).
2.3.5. Технология полупроводниковых приборов (технология интегральных схем ).
2.3.6. Теоретические основы электрорадиотехники (основные методы обра - ботки,
передачи и приема информации).
3. Содержание курса «Оптоэлектроника и интегральная оптика»
3.1. Введение . Предмет курса , его определение . Физические основы оптоэлектро-
ники и интегральной оптики. Твердотельная оптоэлектроника и интегральная
оптика – как разновидность функциональной микроэлектроники. Структурные
элементы оптоэлектроники и интегральной оптики. Деление оптоэлектроники
на когерентную и некогерентную .
3.2. Физические основы работы оптоэлектронных источников излучения . Эмиссия
излучения из полупроводников. Виды излучательной рекомбинации в полу-
проводниках. Теория Ван Русбрека - Шокли. Квантовый выход излучательной
рекомбинации. Собственная излучательная рекомбинация . Излучательная ре-
комбинация свободных и связанных экситонов. Излучательная рекомбинация
свободных носителей на связанных состояниях . Межпримесная излучательная
рекомбинация . Внутрицентровые и внутризонные переходы . Безизлучательная
рекомбинация .
3.3. Полупроводниковые светодиоды и лазеры . Излучательные процессы в гомо- и
гетеро- электронно-дырочных переходах. Инжекция неосновных носителей че-
рез гомо- и гетеро- электронно-дырочный переход. Конструкция и технология
изготовления светодиодов. Технические параметры светодиодов. Приборы для
визуального отображения информации. Связь между спонтанным и вынуж -
денным излучением . Условия возникновения лазерного излучения . Инжекци-
онные лазеры на гомо- и гетеро- электронно-дырочных переходах. Лазеры с
оптическим и электронным возбуждением .
3.4. Приемники излучения . Фотоэлектрические явления . Фотопроводимость. Фото-
вольтаические явления . Полупроводниковые фотоприемники. Основные пара -
3
приборов и устройств оптоэлектроники и интегральной оптики, ознакомление с
их конструкциями, технологией изготовления и областями применения. В ре-
зультате изучения дисциплины студенты должны знать физические принципы
работы приборов и устройств оптоэлектроники и интегральной оптики, уметь
решать практические задачи, связанные с проектированием и разработкой сис-
тем оптоэлектроники и интегральной оптики, иметь представление об основных
тенденциях дальнейшего развития оптоэлектроники и интегральной оптики.
2.3. Перечень дисциплин, усвоение которых необходимо при изучении курса “Оп-
тоэлектроника и интегральная оптика”.
2.3.1. Квантовая механика (квантовая теория излучения).
2.3.2. Статистическая физика (квантовая статистика).
2.3.3. Физика твердого тела (оптические свойства твердого тела).
2.3.4. Физика полупроводников (теория электронно-дырочного перехода, контакта
металл-полупроводник, гетероперехода).
2.3.5. Технология полупроводниковых приборов (технология интегральных схем).
2.3.6. Теоретические основы электрорадиотехники (основные методы обра- ботки,
передачи и приема информации).
3. Содержание курса «Оптоэлектроника и интегральная оптика»
3.1. Введение. Предмет курса, его определение. Физические основы оптоэлектро-
ники и интегральной оптики. Твердотельная оптоэлектроника и интегральная
оптика – как разновидность функциональной микроэлектроники. Структурные
элементы оптоэлектроники и интегральной оптики. Деление оптоэлектроники
на когерентную и некогерентную.
3.2. Физические основы работы оптоэлектронных источников излучения. Эмиссия
излучения из полупроводников. Виды излучательной рекомбинации в полу-
проводниках. Теория Ван Русбрека - Шокли. Квантовый выход излучательной
рекомбинации. Собственная излучательная рекомбинация. Излучательная ре-
комбинация свободных и связанных экситонов. Излучательная рекомбинация
свободных носителей на связанных состояниях. Межпримесная излучательная
рекомбинация. Внутрицентровые и внутризонные переходы. Безизлучательная
рекомбинация.
3.3. Полупроводниковые светодиоды и лазеры. Излучательные процессы в гомо- и
гетеро- электронно-дырочных переходах. Инжекция неосновных носителей че-
рез гомо- и гетеро- электронно-дырочный переход. Конструкция и технология
изготовления светодиодов. Технические параметры светодиодов. Приборы для
визуального отображения информации. Связь между спонтанным и вынуж-
денным излучением. Условия возникновения лазерного излучения. Инжекци-
онные лазеры на гомо- и гетеро- электронно-дырочных переходах. Лазеры с
оптическим и электронным возбуждением.
3.4. Приемники излучения. Фотоэлектрические явления. Фотопроводимость. Фото-
вольтаические явления. Полупроводниковые фотоприемники. Основные пара-
