Электромагнитная совместимость устройств систем управления (в информационной системе МИРЭА-МГДД(Ю)Т). Лотоцкий В.Л. - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

17
Таким образом, в общем случае добротность прямо пропорциональна V и обратно
пропорциональна S и глубине проникновения
o
z
, т.е. в слое, где теряется энергия:
Q∼
Sz
V
o
Значение добротности Q может быть очень велико (10
2
…10
5
).
При отсутствии поглощающего материала внутри Э мощность поля резонатора (из-за
явления накапливания) может быть на несколько порядков больше мощности ИП.
Если размеры резонатора превышают длину волны λ, то поле в резонаторе рас-
пределено резко неравномерно, и возможен пробой в местах максимумов электриче-
ской компоненты
Е
.
Накопление энергии и резонансные явления в экране снижают эффективность экра-
нирования, так как расчет напряженности поля и мощность, проникающая за Э через от-
верстия в щели. Возрастает также воздействие экрана на заключенные в нем элементы.
При экранировании мощных ИП необходимо снижать потери в экране. Большие
потери в Э могут нагреть Э и даже расплавить в местах протекания больших токов.
Наибольший эффект дает уменьшение глубины проникновения
o
z
(выбор материала)
и объема экрана V.
С другой стороны, взаимодействие экрана с ПП усиливается при их сближении. На-
пример, параметры L, Q, R катушки сильно изменяются при экране малых размеров.
6. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ЭКРАНОВ
6.1. Коэффициент экранирования
Рис.6.1.
Теоретически это отношение
действующих значений E
2
(H
2
) в
некоторой точке при наличии Э к
действующим значениям E
1
(H
1
)
в той же точке при отсутствии эк-
рана
1
2
E
E
S
E
= ,
1
2
H
H
S
H
= .
В конструкторской практике
E
Ш
и H
Ш
вблизи Э со стороны ПП; E
1
и H
1
вблизи Э со стороны ИП;
II
E
и
II
H
в самом Э.
Коэффициент экранирования
0≤S≤1
S = 0 поле не проникает в Э (идеальное экранирование);
S = 1 Э не ограничивает помеху и не выполняет свою функцию. 
                                        17
     Таким образом, в общем случае добротность прямо пропорциональна V и обратно
пропорциональна S и глубине проникновения    zo , т.е. в слое, где теряется энергия:
                                          V
                                    Q∼
                                         zo S
                                                            2         5
     Значение добротности Q может быть очень велико (10 …10 ).
     При отсутствии поглощающего материала внутри Э мощность поля резонатора (из-за
явления накапливания) может быть на несколько порядков больше мощности ИП.
     Если размеры резонатора превышают длину волны λ, то поле в резонаторе рас-
пределено резко неравномерно, и возможен пробой в местах максимумов электриче-
ской компоненты Е .
     Накопление энергии и резонансные явления в экране снижают эффективность экра-
нирования, так как расчет напряженности поля и мощность, проникающая за Э через от-
верстия в щели. Возрастает также воздействие экрана на заключенные в нем элементы.
     При экранировании мощных ИП необходимо снижать потери в экране. Большие
потери в Э могут нагреть Э и даже расплавить в местах протекания больших токов.
Наибольший эффект дает уменьшение глубины проникновения          zo   (выбор материала)
и объема экрана V.
     С другой стороны, взаимодействие экрана с ПП усиливается при их сближении. На-
пример, параметры L, Q, R катушки сильно изменяются при экране малых размеров.

                6. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ЭКРАНОВ

                        6.1. Коэффициент экранирования

                                                       Теоретически это отношение
                                                  действующих значений E2 (H2) в
                                                  некоторой точке при наличии Э к
                                                  действующим значениям E1 (H1)
                                                  в той же точке при отсутствии эк-
                                                                E2        H2
                                                  рана   SE =      , SH =    .
                                                                E1        H1
                                                         В конструкторской практике


                    Рис.6.1.
EШ   и HШ вблизи Э со стороны ПП; E1 и H1 вблизи Э со стороны ИП;          EII   и   H II
в самом Э.
     Коэффициент экранирования   0≤S≤1
     S = 0 поле не проникает в Э (идеальное экранирование);
     S = 1 Э не ограничивает помеху и не выполняет свою функцию.

Страницы