Физика твердотельных структур. Лукин А.Н - 14 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

14
1.7. Задание
1 Изучите схему установки и снимите статические вольтамперные ха-
рактеристики германиевого и кремниевого диодов в зависимости от
температуры. Внимание!
При снятии характеристик учитывайте тем-
пературный диапазон работы диодов! При снятии прямой ветви вольт-
амперной характеристики не подавать на диоды напряжения, соответ-
ствующие обратным ветвям!
2 Постройте вольтамперные характеристики, снятые при различных тем-
пературах и объясните их. Указание!
Для каждого из диодов семейст-
во характеристик строить на одном графике. Для прямой и обратной
ветви выбирать разные масштабы!
3 Оцените с помощью характеристики величину сопротивления базы и
контактной разности потенциалов.
4 Вычислите при одинаковом напряжении и разных температурах:
а) статическое и динамическое сопротивления в прямом и обратном
направлениях;
б) коэффициент выпрямления.
5 Вычислите при определенных напряжениях:
а) температурный коэффициент обратного тока насыщения;
б) температурный коэффициент прямого тока.
1.8. Контрольные вопросы
1 Какие бывают p-n переходы по распределению концентрации примесей
в p- и n-областях и по методу их изготовления?
2 Объясните механизм возникновения потенциального барьера в p-n пе-
реходе и выражение контактной разности потенциалов через концен-
трацию носителей в p- и n- областях.
3 Объясните на энергетической диаграмме p-n перехода, как изменяется
высота барьера при приложении к
нему внешнего напряжения (прямо-
го и обратного).
4 Объясните причины, приводящие к различию между токами в прямом
и обратном направлениях для плоскостного диода.
5 Как вычисляется ток носителей заряда через p-n переход в случае дио-
дов с тонкой и толстой базой?
6 Объясните особенности вольтамперной характеристики реального
диода.
7 Объясните различия
в вольтамперных характеристиках германиевого и
кремниевого диодов.
8 Объясните возможные механизмы пробоя p-n перехода.
9 Какова температурная зависимость обратного тока диодов? 
                                   14


                              1.7. Задание

1   Изучите схему установки и снимите статические вольтамперные ха-
    рактеристики германиевого и кремниевого диодов в зависимости от
    температуры. Внимание! При снятии характеристик учитывайте тем-
    пературный диапазон работы диодов! При снятии прямой ветви вольт-
    амперной характеристики не подавать на диоды напряжения, соответ-
    ствующие обратным ветвям!
2   Постройте вольтамперные характеристики, снятые при различных тем-
    пературах и объясните их. Указание! Для каждого из диодов семейст-
    во характеристик строить на одном графике. Для прямой и обратной
    ветви выбирать разные масштабы!
3   Оцените с помощью характеристики величину сопротивления базы и
    контактной разности потенциалов.
4   Вычислите при одинаковом напряжении и разных температурах:
    а) статическое и динамическое сопротивления в прямом и обратном
     направлениях;
    б) коэффициент выпрямления.
5   Вычислите при определенных напряжениях:
    а) температурный коэффициент обратного тока насыщения;
    б) температурный коэффициент прямого тока.

                        1.8. Контрольные вопросы

1   Какие бывают p-n переходы по распределению концентрации примесей
    в p- и n-областях и по методу их изготовления?
2   Объясните механизм возникновения потенциального барьера в p-n пе-
    реходе и выражение контактной разности потенциалов через концен-
    трацию носителей в p- и n- областях.
3   Объясните на энергетической диаграмме p-n перехода, как изменяется
    высота барьера при приложении к нему внешнего напряжения (прямо-
    го и обратного).
4   Объясните причины, приводящие к различию между токами в прямом
    и обратном направлениях для плоскостного диода.
5   Как вычисляется ток носителей заряда через p-n переход в случае дио-
    дов с тонкой и толстой базой?
6   Объясните особенности вольтамперной характеристики реального
    диода.
7   Объясните различия в вольтамперных характеристиках германиевого и
    кремниевого диодов.
8   Объясните возможные механизмы пробоя p-n перехода.
9   Какова температурная зависимость обратного тока диодов?

Страницы