Физика твердотельных структур. Лукин А.Н - 12 стр.

                                  12
ного диода прямых токах прямое падение напряжения может зависить от
сопротивления базы, которое увеличивается с увеличением температуры
из-за уменьшения подвижности носителей заряда. Поэтому при больших
прямых токах прямое падение напряжения на диоде может возрастать. Об-
ратная ветвь вольтамперной характеристики германиевых плоскостных
диодов имеет участок насыщения, так как обратные токи германиевых
диодов связаны в основном с процессом экстракции неосновных носителей
из базы. Допустимое обратное напряжение не превышает 400 В. Пробой
германиевых диодов имеет тепловой характер. Поэтому пробивное напря-
жение уменьшается с повышением температуры. Верхний предел диапазо-
на рабочих температур германиевых диодов (75˚ – 85˚С) определяется рез-
ким ухудшением выпрямления из-за роста обратного тока – сказывается
тепловая ионизация атомов германия. Вольтамперные характеристики од-
ного из кремниевых плоскостных диодов (Д 211) приведены на рис. 5.




  Рис. 5. Вольтамперные характеристики кремниевого диода Д 211
          при различных температурах среды

   Кремниевые плоскостные диоды различных типов рассчитаны на раз-
личные допустимые прямые токи – от 0,5 до 1500А. Падение напряжения
на диодах при этих токах не превышает обычно 1,5 В. Большие падения
напряжения при прохождении прямого тока через кремниевые диоды, по
сравнению с прямым падением напряжения на германиевых диодах, связа-
ны с большей высотой потенциального барьера p-n переходов, сформиро-
ванных в кремнии.