Физика твердотельных структур. Лукин А.Н - 10 стр.

                                   10
           1.4. Особенности вольтамперной характеристика
                     реального плоскостного диода

      Выпрямляющее свойство p-n перехода получило практическое при-
менение в устройстве полупроводниковых плоскостных выпрямительных
диодов, используемых в разнообразных выпрямительных схемах.
      Вольтамперная характеристика плоскостного диода несколько отли-
чается от характеристик идеального p-n перехода (рис. 3). Отличие прямой
ветви вольтамперной характеристики плоскостного диода обусловлено
тем, что при выводе уравнения (2) не учитывались явления генерации и
рекомбинации в запирающем слое, а также распределенное сопротивление
базы диода. Рекомбинация возрастает с увеличением прямого напряжения,
прямой ток вначале экспоненциально возрастает, а затем, начиная с неко-
торого напряжения U = φk, растет почти линейно. Это объясняется тем, что
при больших прямых токах внешнее напряжение значительно превышает
контактное φk на p-n переходе, и прямой ток определяется в основном со-
противлением материала диода.




Рис. 3. Вольтамперная характеристика германиевого диода
1-теоретичекая,2-экспериментальная.
(прямые и обратные ветви характеристик даны в разных масштабах).

Значение обратного тока насыщения на плоскостных диодах больше, чем
теоретическое (2), и возрастает при увеличении обратного напряжения.
Это объясняется наличием поверхностной проводимости p-n перехода и
термогенерацией носителей в запирающем слое перехода. При некотором
критическом значении обратного напряжения Uкр обратный ток возрастает,
так как возможны предпробойные явления и пробой p-n перехода вследст-