Физика твердотельных структур. Лукин А.Н - 11 стр.

                                  11
вие ударной ионизации и большого тепловыделения за счет роста обратно-
го тока. Тепловой пробой характеризуется наличием участка отрицатель-
ного дифференциального сопротивления на обратной ветви вольтамперной
характеристики. С другим механизмом пробоя p-n перехода необходимо
ознакомиться по рекомендуемой литературе.

           1.4. Температурная зависимость вольтамперных
              характеристик полупроводниковых диодов

   На вольтамперные характеристики полупроводниковых выпрямителей в
сильной степени влияет температура. При повышении температуры увели-
чивается прямой и обратный токи. Обратный ток существенно зависит от
температуры незначительно. С ростом температуры уменьшается высота
барьера q0φk и экспоненциально растет концентрация неосновных носите-
лей заряда, вследствие чего увеличивается того. Рост тока насыщения с
повышением температуры практически является основным фактором, оп-
ределяющим температурный предел работы диодов.
   Германиевые плоские диоды различных типов рассчитаны на различ-
ные допустимые прямые токи от 0,3 до 1000А. Падение напряжения на
диодах при этих токах не превышает 0,5В. Температурная зависимость
прямого падения напряжения на германиевых диодах может быть различ-
ной при малых и больших прямых токах (рис. 4).




                Рис. 4. Вольтамперные характеристики германиевого
                        диода при различных температурах среды.

   При малых прямых токах, когда почти всё внешнее напряжение прило-
жено к p-n переходу, прямое падение напряжения уменьшается с увеличе-
нием температуры в связи с уменьшением высоты потенциального барье-
ра и с перераспределением носителей по энергиям. При больших для дан-