Физика твердотельных структур. Лукин А.Н - 39 стр.

                                         39
Работа № 5. Изучение физических принципов работы фоторезисторов

Цель работы – изучение основных физических закономерностей, опреде-
ляющих свойства и параметры фоторезисторий (фоторезисторов), исследо-
вание их вольтамперных, световых, инерционных и спектральных характе-
ристик.

                   5.1. Основные свойства фоторезисторов

        Фоторезистор, или фотосопротивление – это полупроводниковое
устройство, сопротивление которого зависит от освещенности.
Основным элементом фоторезисторов является тонкий слой полупровод-
никового материала 1, нанесенного на изолирующую подложку 2 (рис.
1), например, испарения в вакууме. На краевые области слоя полупро-
водника напыляются металлические контакты 3. Окончательно фоторе-
зистор оформляется в пластмассовом корпусе с выводами от контактов.
Ножки корпуса позволяют вставлять фоторезистор в панельку.
       Выпускаемые промышленностью фоторезисторы имеют высокую
чувствительность, небольшое омическое сопротивление, простую конст-
рукцию и, малые габариты, большой срок службы, стабильность свойств
и т. п. К числу их недостатков относятся зависимость параметров от тем-
пературы и инерционность.




Рис. 1.                                             Рис. 2.

      Если фоторезистор включено последовательно с источником на-
пряжения (рис. 2), то при освещении его поверхности в цепи будет течь
ток
                                Uф
                         Jф =        ,        (1)
                                Rф
где U ф – напряжение, приложенное к фоторезистору,
    Rф – его сопротивление при освещении
Величина сопротивления может быть представлена в виде