Физика твердотельных структур. Лукин А.Н - 40 стр.

                                           40
                                 1
                         Rф =          ,        (2)
                                Βσ ф
тогда
                          J ф = Βσ фU ф ,
где В – коэффициент пропорциональности, σ ф – фотопроводимость. За-
висимость фототока от напряжения /вольтамперная характеристика/ при
постоянных освещенности и температуре, имеет линейный характер (рис.
3). Отступления от закона Ома наступают в большинстве случаев только
при высоких напряжениях на фоторезисторе.
         Величина фототока J ф зависит от интенсивности света. В боль-
шинстве случаев фототок не является линейной функцией светового по-
тока Ф . Однако при малых освещенностях фототок пропорционален ос-
вещенности. Теоретически можно показать, что зависимость фототока от
освещенности определяется соотношением между числом носителей,
возбужденных падающим светом и концентрацией носителей в полупро-
воднике n- типа проводимости /или дырок p- типа проводимости/, σ ф ли-
нейно зависит от светового потока Ф ; т. е. σ ∝ Ф .
        В противоположном случае, когда число возбужденных светом
носителей значительно превосходит число основных носителей, σ ф ∝ Ф .
Эти закономерности не носят универсального характера и очень часто
более сложны.
        В общем случае, однако, удается представить зависимость фото-
проводимости от интенсивности света в виде:
                   σ ф = СФ α , где С − const , 0 < α < 1
        Переходя к фототоку J ф , имеем
                         J ф = СФ α U ф
Типичная световая характеристика фоторезисторов представлена на
рис. 4.




               Рис. 3.                           Рис. 4.