Физика твердотельных структур. Лукин А.Н - 42 стр.

UptoLike

Составители: 

42
Спектральные характеристики разных типов фоторезисторов сильно от-
личаются друг от друга. Для разных участков спектра целесообразно ис-
пользовать разные фоторезистора. Выбор того или иного типа фоторези-
сторов в этом случае проводится по спектральным характеристикам по-
следних. Спектральные характеристики
некоторых фоторезисторов при-
ведены на рис. 5.
Рис. 5. Рис. 6.
При определении интегральной чувствительности фоторезисторов в ка-
честве источника света используется лампа накаливания с вольфрамовой
нитью, накаленной до температуры 2840°К при освещенности 200лк.
Существенное значение для перечисленных применений фоторезисторов
имеют их частотные характеристики. Облучая фоторезистор модулиро-
ванным световым потоком, можно заметить, что по мере роста частоты
модуляции
чувствительность фоторезистора падает. На рис. 6 показана
зависимость чувствительности фоторезисторов различных типов от час-
тоты. Объясняется частотная зависимость инерционностью процессов,
развивающихся при освещенности и выключении света. При включении
и выключении света фототок возрастает до максимума (рис. 7) и спадает
до минимума не мгновенно.
Рис. 7.
                                  42
Спектральные характеристики разных типов фоторезисторов сильно от-
личаются друг от друга. Для разных участков спектра целесообразно ис-
пользовать разные фоторезистора. Выбор того или иного типа фоторези-
сторов в этом случае проводится по спектральным характеристикам по-
следних. Спектральные характеристики некоторых фоторезисторов при-
ведены на рис. 5.




               Рис. 5.                           Рис. 6.

При определении интегральной чувствительности фоторезисторов в ка-
честве источника света используется лампа накаливания с вольфрамовой
нитью, накаленной до температуры 2840°К при освещенности 200лк.
Существенное значение для перечисленных применений фоторезисторов
имеют их частотные характеристики. Облучая фоторезистор модулиро-
ванным световым потоком, можно заметить, что по мере роста частоты
модуляции чувствительность фоторезистора падает. На рис. 6 показана
зависимость чувствительности фоторезисторов различных типов от час-
тоты. Объясняется частотная зависимость инерционностью процессов,
развивающихся при освещенности и выключении света. При включении
и выключении света фототок возрастает до максимума (рис. 7) и спадает
до минимума не мгновенно.




                             Рис. 7.