ВУЗ:
Составители:
47
При выращивании такого кристалла некоторые ионы Ca
2+
замещаются
ионами Pr
3+
. В этом кристалле на ион Pr
3+
действует поле, созданное
преимущественно ионами F
–
, и в меньшей степени ионами Са
2+
. Влияние
кристаллического поля ведет к расщеплению уровней иона Pr
3+
, показанных
на рис. 6.1 и, следовательно, к расщеплению указанных на этом рисунке
спектральных линий. Четкая штарковская структура этих расщеплений может
быть замечена при наблюдении спектров на приборах с большой разрешающей
способностью при низких температурах (Т = 77 К). Но и при комнатной
температуре (Т
300 К) спектры поглощения содержат информацию
о свойствах атома. Определив ширину области (
21
) поглощения для
одного из переходов, например,
3
H
4
-
1
D
2
(рис. 6.3), по среднему значению
длин волн (
ср
) можно определить энергию возбужденного уровня
1
D
2
,
которая равна
ср
*
/1
. Предполагая, что исследуемые спектральные
переходы возникают преимущественно в результате перехода иона только с
нижнего штарковского подуровня
3
Н
4
на все подуровни возбужденного уровня
1
D
2
(рис. 6.3), можно определить ширину штарковского расщепления этого
уровня
21
11
*
,
где
1
и
2
– граничные значения длин волн для выделенной полосы. При
определении границы полосы поглощения
1
и
2
надо принять интен-
сивность спектра I вблизи полосы за 1,
1
и
2
определяют при
интенсивности I
0,7 (см. рис. 6.3).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »
