ВУЗ:
Составители:
45
На рис. 6.1 приведено расположение этих уровней в энергетической схеме сво-
бодных ионов Pr
3+
. В соответствии с принятыми в спектроскопии
обозначениями энергия уровней определена в волновых числах
/1
*
(точное значение энергии
E = hv = hc/
,
/1
*
= E/hc), где
– длина
волны перехода из основного состояния
3
H
4
на соответствующий
возбужденный уровень. На рис. 6.1 длины волн спектральных переходов
приведены в ангстремах, а
* – в см
-1
.
На атом, входящий в состав кристаллической решетки, действует поле,
созданное окружающими атомами – поле кристаллической решетки. Состояния
свободного атома или иона, как правило, вырожденные; под возмущающим
действием электрического поля решетки происходит расщепление уровней
энергии. В данной работе используется кристалл СаF
2
, активированный ионами
Pr
3+
. Структура такого кристалла изображена на рис. 6.2.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 43
- 44
- 45
- 46
- 47
- …
- следующая ›
- последняя »
