Конспект лекций по курсам "Проектирование центральных и периферийных устройств ЭВС", "Микропроцессоры и ЭВМ в микросистемах". Лукьяненко Е.Б. - 4 стр.

UptoLike

Составители: 

1. ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА
Микросхемы памяти в общем объеме выпуска ИС занимают около 40% и
играют важную роль.
1 Классификаци запоминающих устройств
Важнейшим признаком ЗУ является способ доступа к данным. По этому
признаку различаются 3 вида ЗУ:
1. Адресные ЗУ: код на адресном входе указывает ячейку, с которой ведется
обмен.
Адресные ЗУ: делятся на RAM (Random ACCESS Memory) (ОЗУ-оператив-
ные запоминающие устройства) и ROM (Read-Only Memory) (ПЗУ-постоянные за-
поминающие устройства).
RAM делятся на статические - SRAM (Static RAM) и динамические -DRAM
(Dynamic RAM).
В статических ОЗУ запоминающими элементами являются триггеры. В ди-
намических ОЗУ данные хранят в виде зарядов конденсаторов, образуемых эле-
ментами МОП-структур. Запоминающие конденсаторы разряжаются, поэтому
каждые несколько миллисекунд данные должны регенерироваться
Плотность упаковки динамических элементов памяти в несколько раз выше,
чем статических.
Динамические ОЗУ характеризуются наибольшей информационной емко-
стью и невысокой стоимостью, но имеют большее энергопотребление и меньшее
быстродействие.
Постоянная память типа ROM имеет следующие разновидности:
1. Программируемые при изготовлении ИМС с помощью одной из ма-
сок. Эта память типа ПЗУМ (ПЗУ масочные). [ROM(M)]
2. Память, программируемая пользователем (ППЗУ программируемые
ПЗУ):
PROM – содержимое записывается однократно в память.
EPROM и EEPROM содержимое может быть заменено путем
стирания информации и записи новой.
В EPROM – стирание путем облучения кристалла ультрафиолетовыми луча-
ми (РПЗУ-УФ – репрограммируемые ПЗУ с УФ стиранием).
В EEPROM стирание происходит электрическими сигналами (РПЗУ-ЭС
репрограммируемые ПЗУ с электрическим стиранием).
Запись данных для EPROM и E
2
PROM производится элетрическими сигна-
лами.
2. Последовательные ЗУ:
FIFO;
4