ВУЗ:
Составители:
1. ЗАПОМИНАЮЩИЕ  УСТРОЙСТВА
Микросхемы памяти в общем объеме выпуска ИС занимают около 40% и 
играют важную роль.
1 Классификаци запоминающих устройств
Важнейшим признаком   ЗУ является способ доступа к данным. По этому 
признаку различаются 3 вида ЗУ:
1. Адресные ЗУ: код на адресном входе указывает ячейку, с которой ведется 
обмен.
Адресные ЗУ: делятся на RAM (Random ACCESS Memory) (ОЗУ-оператив-
ные запоминающие устройства) и ROM (Read-Only Memory) (ПЗУ-постоянные за-
поминающие устройства).
RAM делятся на статические - SRAM (Static RAM) и динамические -DRAM 
(Dynamic RAM). 
В статических ОЗУ запоминающими элементами являются триггеры. В ди-
намических ОЗУ данные хранят в виде зарядов конденсаторов, образуемых эле-
ментами   МОП-структур.   Запоминающие   конденсаторы   разряжаются,   поэтому 
каждые несколько миллисекунд данные должны регенерироваться 
Плотность упаковки динамических элементов памяти в несколько раз выше, 
чем статических.
Динамические  ОЗУ  характеризуются  наибольшей  информационной  емко-
стью и невысокой стоимостью, но имеют большее энергопотребление и меньшее 
быстродействие.
Постоянная память типа ROM имеет следующие разновидности:
1. Программируемые при изготовлении ИМС с помощью одной из ма-
сок. Эта память типа ПЗУМ (ПЗУ масочные). [ROM(M)]
2. Память, программируемая пользователем (ППЗУ – программируемые 
ПЗУ):
− PROM – содержимое записывается однократно в память.
− EPROM и EEPROM – содержимое может быть заменено путем 
стирания информации и записи новой.
В EPROM – стирание путем облучения кристалла ультрафиолетовыми луча-
ми (РПЗУ-УФ – репрограммируемые ПЗУ с УФ стиранием).
В EEPROM – стирание происходит электрическими сигналами (РПЗУ-ЭС – 
репрограммируемые ПЗУ с электрическим стиранием).
Запись данных для EPROM и E
2
PROM производится элетрическими сигна-
лами.
2. Последовательные ЗУ:
− FIFO;
4
Страницы
- « первая
 - ‹ предыдущая
 - …
 - 2
 - 3
 - 4
 - 5
 - 6
 - …
 - следующая ›
 - последняя »
 
