Конспект лекций по курсам "Проектирование центральных и периферийных устройств ЭВС", "Микропроцессоры и ЭВМ в микросистемах". Лукьяненко Е.Б. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

ней линии данных (разрядной линией, линией записи/считывания). Направление
обмена определяется усилителями записи/чтения под воздействием сигнала R/W
(Read – чтение, Write - запись).
Структура 2D применяется только в ЗУ малой емкости из-за чрезмерного
усложнения дешифратора при росте числа хранимых слов.
1.2.2. Структура 3D
Позволяет упростить дешифраторы адреса с помощью двухкоординатной
выборки запоминающих элементов.
Пример ЗУ типа ROM (только чтение данных, одноразрядная организация):
ЗЭ
ЗЭ
А
CS
1
n/2
DC
x
DC
y
Бит данных
Рис. 2
Выбирается ЗЭ, находящийся на пересечении линий выходов дешифрато-
ров.
Например для ЗУ емкостью 1 К слов потребуется для 2D – дешифратор с
1024 выходами, а для 3D – 2 дешифратора с 32 выходами.
1.2.3. Структура 2DM (модифицированная)
Сочетаются достоинства обеих структур: упрощается дешифрация адреса и
не требуются запоминающие элементы с двухкоординатной выборкой.
Рассмотрим ЗУ типа ROM.
6
DC Матрица ЗЭ
2 x m 2
n-k
k
2
n-k
2
k
2
k
2
k
2
k-1
MUX
2
k-1
MUX
2
k-1
MUX
k
kk
0
A =A ... A
2
k-1
k
A =A ... A
1 n-1

Страницы