Конспект лекций по курсам "Проектирование центральных и периферийных устройств ЭВС", "Микропроцессоры и ЭВМ в микросистемах". Лукьяненко Е.Б. - 8 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 5

В МОП-транзисторах, соответствующих хранению нуля, увеличивают тол-

щину подзатворного окисла, что ведет к увеличению порогового напряжения

транзистора. В этом случае рабочие напряжения не могут открыть транзистор, что

соответствует его отсутствию.

Масочные ЗУ отличаются высоким уровнем интеграции.

Область применения: хранение стандартной информации, имеющей широ-

кий круг потребителей. Это прошивка кодов букв русского и латинского алфави-

та, таблицы типовых функций (sin, квадратичной функции и др.), стандартное

программное обеспечение и т.п.

1.3.2. ЗУ типа PROM

Такие ЗУ программируются пользователем устранением или созданием

перемычек.

Устранение части перемычек свойственно ЗУ с

1) плавкими перемычками (типа fuse – предохранитель). В исходном

состоянии ЗУ имеет все перемычки, а при программировании часть их ликвидиру-

ется путем расплавления импульсами тока (большой амплитуды и длительности).

Эти перемычки включаются в электроды диодов или транзисторов. Изготавлива-

ются металлическими (нихром) и поликристаллическими (кремниевыми).

Исходное состояние перемычка удалена

Рис. 6

Перемычка образована

Рис. 7

2) другой тип перемычки: два встречно включенных диода. В исходном состо-

янии цепь можно считать разомкнутой. Для записи «1» к диодам приклады-