Конспект лекций по курсам "Проектирование центральных и периферийных устройств ЭВС", "Микропроцессоры и ЭВМ в микросистемах". Лукьяненко Е.Б. - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

положительные). Одно из состояний МНОП-транзистора принимается за «0», дру-
гое – за «1».
n-канальный
При программировании используется напряжение около 20В. После 10
4
…
10
6
перезаписей МНОП-транзистор перестает устойчиво хранить заряд.
РПЗУ на МНОП-транзисторах энергонезависимы и могут хранить информа-
цию десятками лет. Старая информация стирается записью нулей во все ЛЭ. Тип
ЗУ - РПЗУ-ЭС.
ЛИЗМОП-транзистор
Рис. 9
Транзисторы имеют плавающий затвор из поликремния. На рис. он является
вторым, дополнительным к управляющему затвору.
Такие транзисторы используются в РПЗУ-УФ и в РПЗУ-ЭС.
Принцип работы: в плавающий затвор вводится заряд, влияющий на ве-
личину порогового напряжения. Он сохраняется там в течении длительного вре-
мени.
При подачи напряжения на управляющий затвор, сток и исток импульса по-
ложительного напряжения 20…25 В в р-n-переходах возникает лавинный пробой,
область которого насыщается электронами. Часть электронов с высокой энергией
проникает через потенциальный барьер в плавающий затвор, где и сохраняется
многие годы.
Отрицательный заряд плавающего затвора увеличивает пороговое напряже-
ние настолько, что транзистор всегда закрыт.
При отсутствии заряда транзистор работает в обычном ключевом режиме.
Для стирания информации УФ лучами в корпусе делают окошко. УФ лучи
вызывают фототоки и тепловые токи и заряды покидают плавающий затвор. Вре-
мя стирания – десятки минут. Число циклов – 10…100.
При электронном стирании на затвор подается ноль Вольт, а на сток и исток
– высокое напряжение. Число циклов 10
4
…10
6
.
ЭС стирание вытесняет УФ стирание.
Среди отечественных РПЗУ-УФ известна серия К573, а среди РПЗУ-ЭС –
серии КР558 (n-МОП) и К1609, К1624, К1626 на ЛИЗМОП.
10
+
+
И
n
+
З
С
n
+
p-подложка
плавающий затвор
SiO
2
SiO
2
SiO
2
Al
поликремний

Страницы