Конспект лекций по курсам "Проектирование центральных и периферийных устройств ЭВС", "Микропроцессоры и ЭВМ в микросистемах". Лукьяненко Е.Б. - 11 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

1.3.4. Статические ОЗУ ( SRAM )

Довольно дорогостоящие, но имеющие высокое быстродействие. Широко

используются в КЭШ-памяти. Имеют обычно структуру 2DM. При небольшой ем-

кости – 2D.

Запоминающий элемент – триггер с цепями установки и сброса. Примененя-

ются схемотехнологии: ТТЛ(Ш), И

Л, ЭСЛ, n-МОП, КМОП, AsGa и др. Это ми-

кросхемы серии К537 (КМОП) и К132 (n-МОП).

Запоминающие элементы

на n -МОП транзисторах

Рис. 10

RS-триггер выполнен на транзисторах V1, V2. Транзисторы V3 и V4 – клю-

чи выборки.

При обращении и ЗЭ появляется высокий потенциал на шине выборки ШВ.

Этот потенциал открывает ключи выборки (транзисторы Т3, Т4) Через D иD счи-

тываются данные. Через D иD можно записывать данные в триггер, подовая низ-

кий потенциал на шину. Тогда при подаче «0» наD снижается стоковое напряже-

ние транзистора V1, что запирает транзистор V2. Триггер установлен в состоянии

«1».

1.3.5. Статические ЗУ типа БиКМОП.

БиКМОП – биполярная и КМОП-технология.

Применительно к SRAM это реализация триггеров на КМОП, а цепей выда-

чи данных, имеющих значительную емкостную нагрузку – по биполярной схемо-

техники (ЭСЛ или ТТЛШ).

Нагрузка Нагрузка

ШВ