Конспект лекций по курсам "Проектирование центральных и периферийных устройств ЭВС", "Микропроцессоры и ЭВМ в микросистемах". Лукьяненко Е.Б. - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

I
U
оп
Рис. 11
1.3.6. Динамические ЗУ ( DRAM )
Данные хранятся в виде зарядов емкостей МОП-структур. Такой ЗЭ проще
триггерного, что позволяет размещать на кристалле в 4-5 раз больше ЗЭ.
С
з
С
л
ЛЗС
ЛВ (линия
выборки)
Рис. 12
Ключевой транзистор отключает запоминающий конденсатор от линии за-
писи-считывания или подключает его к ней. Сток транзистора не имеет внешнего
вывода и образует одну из обкладок конденсатора (поликремний). Между обклад-
ками расположен тонкий слой оксида кремния.
И
n
+
З
p-подложка
SiO
2
С
з
n
+
ЛЗ
С
ЛВ
SiO
2
Al
поликремни
й
Рис. 13
В режиме хранения транзистор заперт. При выборке данного ЗЭ на затвор
подается напряжение, открывающее транзистор. Емкость С
з
подключается к ли-
нии записи-считывания. И в зависимости от того, заряжая емкость или разряжена,
по разному влияет на потенциал ЛЗС.
12

Страницы