Конспект лекций по курсам "Проектирование центральных и периферийных устройств ЭВС", "Микропроцессоры и ЭВМ в микросистемах". Лукьяненко Е.Б. - 12 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

оп

Рис. 11

1.3.6. Динамические ЗУ ( DRAM )

Данные хранятся в виде зарядов емкостей МОП-структур. Такой ЗЭ проще

триггерного, что позволяет размещать на кристалле в 4-5 раз больше ЗЭ.

ЛЗС

ЛВ (линия

выборки)

Рис. 12

Ключевой транзистор отключает запоминающий конденсатор от линии за-

писи-считывания или подключает его к ней. Сток транзистора не имеет внешнего

вывода и образует одну из обкладок конденсатора (поликремний). Между обклад-

ками расположен тонкий слой оксида кремния.

p-подложка

SiO

ЛЗ

ЛВ

SiO

поликремни

Рис. 13

В режиме хранения транзистор заперт. При выборке данного ЗЭ на затвор

подается напряжение, открывающее транзистор. Емкость С

подключается к ли-

нии записи-считывания. И в зависимости от того, заряжая емкость или разряжена,

по разному влияет на потенциал ЛЗС.