Конспект лекций по курсам "Проектирование центральных и периферийных устройств ЭВС", "Микропроцессоры и ЭВМ в микросистемах". Лукьяненко Е.Б. - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

вается высокое напряжение, пробивающее диод, смещенный в обратном
направлении. Диод пробивается с образованием в нем короткого замыкания.
3) схемы с тонкими пробиваемыми диэлектрическими перемычками (типа
antifuse) более компактны и совершенны. Применяются в ПЛИС.
Представителем ЗУ с плавкими перемычками является м/сх К155РЕ3 (ТТЛ).
Плавкие перемычки занимают довольно много места, поэтому уровень (сте-
пень) интеграции ниже, чем у масочных ЗУ. Однако имеют невысокую стоимость,
т.к. изготовитель выпускает микросхему без учета конкретного содержимого ЗУ.
Программирует ЗУ пользователь.
Среди отечественных PROM ведущее место занимают микросхемы серии
К556. Емкость 1-64 Кбит и τ
доступа
=70-90 нс.
1.3.3. ЗУ типов EPROM и E
2
PROM
Это репрограммируемые ЗУ.
В EPROM (РПЗУ-УФ) – информация стирается ультрафиолетовыми луча-
ми, а в E
2
PROM (РПЗУ-ЭС) – электрическими сигналами.
Запоминающими элементами (современных) РПЗУ являются транзисторы
типов МНОП (метал-нитрид-окисел-полупроводник) и ЛИЗМОП (лавинная
инжекция заряда).
МНОП-транзистор
Рис. 8
Над каналом расположен тонкий слой оксида кремния SiO
2
(≤5 нм), далее
идет толстый слой нитрида кремния Si
3
N
4
и Al затвор. Благодаря туннельному эф-
фекту носители заряда могут проходить через тонкую пленку SiO
2
. Они скаплива-
ются на границе раздела SiO
2
-Si
3
N
4
, где возникают центры захвата заряда. Этот за-
ряд и является носителем информации, хранимой МНОП-транзистором. Заряд за-
писывают созданием под затвором напряженности электрического поля, доста-
точной для возникновения туннельного эффекта. Наличие заряда влияет на поро-
говое напряжение транзистора. Для него отрицательный заряд увеличивает поро-
говое напряжение (транзистор закрыт), а положительный заряд уменьшает поро-
говое напряжение (транзистор открыт). Заряды создаются при приложении напря-
жения на затвор (±U
з
) (+U
з
создает отрицательные заряды, а -U
з
–
9
И
n
+
З
С
n
+
p-подложка
SiO
2
Al
Si N
3 4

Страницы