Конспект лекций по курсам "Проектирование центральных и периферийных устройств ЭВС", "Микропроцессоры и ЭВМ в микросистемах". Лукьяненко Е.Б. - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 3
Дешифратор выбирает в матрице ЗЭ целую строку (как в 2D). Однако длина
строки многократно превышает разрядность хранимых слов. При этом увеличива-
ется число строк матрицы и уменьшается число выходов дешифратора.
1.3. Типы ЗУ
1.3.1. Масочные ЗУ [ ROM ( M )]
Элементами связи могут быть диоды, биполярные транзисторы, МОП-транзисто-
ры. Программируются с помощью одной из масок при изготовлении ЗУ.
Диодные ЗЭ
линии
выборки
слов
линии считывания
Рис. 4
При наличии диода высокий потенциал выбранной горизонтальной линии
передается на соответствующую вертикальную линию и в данном разряде появ-
ляется «1».
При возбуждении (высокий потенциал) линии Ш
1
считывается слово
11010001. При возбуждении Ш
2
считывается слово 10101011. Линии выборки
(Ш
1
-Ш
n
) являются выходами дешифратора адреса.
Матрица МОП-транзисторных элементов
Ш
1
U
cc
1 1 0
7
Ш
1
Ш
2
Ш
n

Страницы