Математическое моделирование в микроэлектронике. Ч.1. Лукьяненко Е.Б. - 15 стр.

UptoLike

Составители: 

15
3. HFE1
I
C1
HFE2
I
C2
HFE3
I
C3
Vce
Коэффициент усиления по току b
1
Ток коллектора (малый)
Коэффициент усиления по току b
2
Ток коллектора (средний)
Коэффициент усиления по току b
3
Ток коллектора, соответствующий
максимальному b
Напряжение коллектор-эмиттер
BF
NE
ISE
IKF
4. Vce
Ic
Ic/Ib
Напряжение насыщения при токе Ic
Ток коллектора
Отношение токов в режиме
насыщения
BR
5.
Cobo
Vcb
Емкость Cкб при напряжении Uкб
Напряжение коллектор-база
CJC
6. Cibo
Veb
Емкость Сэб при обратном
напряжении Uэб
Напряжение эмиттер-база
CJE
7. t
s
Ic
Ic/Ib
Время рассасывания
Ток коллектора
Отношение токов Iк/Iб в режиме
насыщения
TR
8. FT
Ic
Vce
Граничная частота в схеме с общим
эмиттером
Ток коллектора
Напряжение коллектор-эмиттер
TF
Некоторые параметры математической модели транзистора не оцениваются
программой Parts. Их необходимо измерять, вычислять и вводить в описание
модели транзистора.