Математическое моделирование в микроэлектронике. Ч.1. Лукьяненко Е.Б. - 16 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

МОДЕЛИ МОП-ТРАЗИСТОРОВ

Структура МОП-транзистора с каналом n-типа имеет вид:

n+ n+

P-подложка

TOX

LD Leff

Исток Сток

Затвор

Подложка

Рис.1

Нелинейная схема замещения МОП-транзистора приведена на рис.2.

Cbs

S (исток)

G (затвор)

Cgs

RDS

Cgd

B(подложка)

Ids

Cgb

Cbd

Рис.2

На этой схеме источник тока Ids характеризует усилительные свойства

транзистора, остальные элементы являются паразитными. Два диода отражают

наличие p-n-переходов исток-подложка и сток-подложка. Конденсаторы Cgd,

Cgs, Cbd, Cbs представляют собой емкости затвор-сток, затвор-исток, сток-

подложка, исток-подложка. Резисторы RG, RD, RS, RB – объемные

сопротивления затвора, стока, истока, подложки. Резистор RDS – отражает

сопротивление сток-исток закрытого транзистора. Параметры МОП-