ВУЗ:
Составители:
Рис 3.4. Схема рассеяния иона на атоме монокристалла в процессе
однократного соударения:
и ()rr
ϕ
r
– полярные координаты иона, R – расстояние
максимального сближения, О – рассеивающий центр (начало координат),
μ
–
приведенная масса,
θ
– угол рассеяния
В нашем случае сложное взаимодействие налетающего иона с
цепочкой атомов кристалла заменяется совокупностью
последовательных столкновений иона с очередным атомом, т.е.
двухчастичной задачей, решение которой хорошо известно.
При построении реальные плавные траектории можно
рассматривать как ломанные кривые, т.е. ограничиться
асимптотическим приближением. При этом траектория и центр
рассеяния лежат в одной плоскости, асимптоты траектории частицы,
падающей и рассеянной, лежат на одинаковом расстоянии от центра
рассеяния.
Вычисление угла рассеяния для больших прицельных параметров
или больших кинетических энергий упрощается, если применить
импульсное приближение. В этом случае вычисления можно
производить непосредственно в лабораторной системе координат.
Для определения углов рассеяния используется экранированный
потенциал Томаса-Ферми (3.1). Функция экранирования
ϕ
(r/a) берется в
приближении Мольер:
6/ 1,2/ 0,3/
( / ) 0,1 0,55 0,35
ra ra ra
ra
ϕ
−− −
=+ +
. (3.8)
Направление входящей асимптоты в ЛСК для бинарного
столкновения находится путем решения стандартного интеграла
рассеяния:
48
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- …
- следующая ›
- последняя »
