Физика микроэлектронных приборов. Медведев С.П. - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ПГУ | Пенза

Составители: 

Рубрика: 

РПД МЭ 1 ДС.02 – 2005
5
4 Цель и задачи дисциплины
4.1 Целью дисциплины является изучение студентами методов расчета различных элемен-
тов полупроводниковых интегральных микросхем.
……………………………………………………………………………………………………………
4.2 В результате изучения дисциплины студент должен:
⎯ иметь представление (понимать и уметь объяснить) о путях развития и проблемах расчета
микроэлектронных приборов;
⎯ знать современные методы расчета различных элементов п/п интегральных микросхем
;
⎯ уметь применять современные методы расчета для решения проектных, конструкторских и
исследовательских задач;
⎯ иметь навыки (опыт) решения инженерных задач при создании элементов п/п интегральной
микросхемы, а также эффективно использовать средства вычислительной техники.;
5 Место дисциплины в учебном процессе
Дисциплина относится к циклу дисциплин специализации и блоку дисциплин, обеспечивающих кон
-
структорско-технологическую подготовку.
Изучение данной дисциплины базируется на следующих дисциплинах:
«Физика твердого тела», «Высшая математика», «Физика», «Теоретические основы электротехни-
ки», «Применение ЭВМ в инженерной практике», «Твердотельная электроника».
Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальнейшем при изучении дисцип-
лин
«Проектирование и конструирование п/п ИМС», «Технология п/п приборов и ИМС», «Автоматизация
проектирования».
6 Сводные данные об основных разделах дисциплины и распределении часов по ви-
дам занятий
Количество часов занятий
аудиторных
Название раздела
лекционных практич. лабораторных
самостоя-
тельных
Уровни
изучения
1. Введение 1
А
2. Расчет профиля легирования в слоях
микросхемы
3
1
1
В
3. Расчет толщины слоев различной про-
водимости микросхемы
2
2
8
2
В
4. Расчет токов, параметров и характери-
стик структуры с ЭДП
8
3
8
3
В
5. Расчет токов, параметров и характери-
стик биполярных транзисторов
12 6 10 6 Б
6. Методы включения транзисторов в
схему и расчет их параметров
2 4 4 4 В
7. Формирование резисторов на основе
слоев транзисторной структуры и расчет
их параметров
2 1 4 1 В
8. Характеристики и параметры МДП
транзисторов
4 Б
Всего часов 34 17 34 17 
                                                                   РПД МЭ 1 ДС.02 – 2005
         4 Цель и задачи дисциплины
         4.1 Целью дисциплины является изучение студентами методов расчета различных элемен-
         тов полупроводниковых интегральных микросхем.
……………………………………………………………………………………………………………
      4.2 В результате изучения дисциплины студент должен:
  ⎯ иметь представление (понимать и уметь объяснить) о путях развития и проблемах расчета
    микроэлектронных приборов;
  ⎯ знать современные методы расчета различных элементов п/п интегральных микросхем;
   ⎯ уметь применять современные методы расчета для решения проектных, конструкторских и
     исследовательских задач;
   ⎯ иметь навыки (опыт) решения инженерных задач при создании элементов п/п интегральной
       микросхемы, а также эффективно использовать средства вычислительной техники.;

          5 Место дисциплины в учебном процессе

Дисциплина относится к циклу дисциплин специализации и блоку дисциплин, обеспечивающих кон-
структорско-технологическую подготовку.
                             Изучение данной дисциплины базируется на следующих дисциплинах:
   «Физика твердого тела», «Высшая математика», «Физика», «Теоретические основы электротехни-
                   ки», «Применение ЭВМ в инженерной практике», «Твердотельная электроника».

Основные положения дисциплины должны быть использованы в дальнейшем при изучении дисцип-
лин «Проектирование и конструирование п/п ИМС», «Технология п/п приборов и ИМС», «Автоматизация
проектирования».

         6 Сводные данные об основных разделах дисциплины и распределении часов по ви-
 дам занятий

                                                    Количество часов занятий
                                                                                      Уровни
                                                     аудиторных
  Название раздела                                                          самостоя- изучения
                                           лекционных практич. лабораторных тельных

1. Введение                                    1                                         А

2. Расчет профиля легирования в слоях          3         1                      1        В
микросхемы
3. Расчет толщины слоев различной про-         2         2          8           2        В
водимости микросхемы
4. Расчет токов, параметров и характери-       8         3          8           3        В
стик структуры с ЭДП
5. Расчет токов, параметров и характери-       12        6          10          6         Б
стик биполярных транзисторов
6. Методы включения транзисторов в             2         4          4           4        В
схему и расчет их параметров
7. Формирование резисторов на основе           2         1          4           1        В
слоев транзисторной структуры и расчет
их параметров
8. Характеристики и параметры МДП              4                                          Б
транзисторов
                             Всего часов       34        17         34         17


                                                                                          5

Страницы