Физика микроэлектронных приборов. Медведев С.П. - 7 стр.

                                                              РПД МЭ 1 ДС.02 – 2005
метры транзистора как четырехполюсника. Расчет времени пролета неосновных носителей
заряда через базу дрейфового и бездрейфового транзистора. Постоянная времени эмиттера
и коллектора. Расчет граничной частоты транзистора. Особенности пробоя транзистора.
Образование паразитных транзисторов в полупроводниковой ИМС. Расчет параметров па-
разитных транзисторов.
    Раздел 6. Каскад на одном транзисторе. Статическая и динамическая нагрузочные пря-
мые. Положение и выбор рабочей точки каскада. Физические процессы в транзисторе при
его работе в качестве электронного ключа. Расчет минимального падения напряжения на
ключе. Включение транзистора как диода, расчет ВАХ. Составные транзисторы, расчет их
параметров и характеристик.
    Раздел 7. Формирование резисторов на основе диффузионных слоев. Резисторы в базо-
вом слое и пинч-резистоы. Расчет средних значений подвижности, времени жизни и диффу-
зионной длины носителей заряда в поперечном направлении слоев полупроводниковой
ИМС. Расчет тела резистора исходя из мощности рассеяния. Расчет сопротивления прикон-
тактных областей резисторов и их влияние на общее сопротивление. Особенности тополо-
гического исполнения резисторов.
    Раздел 8. Идеализированная структура металл-диэлектрик-полупроводник (МДП). Фи-
зические явления в приповерхностной области полупроводника при приложении напряже-
ния к МДП-стуктуре. Энергетические диаграммы и распределение зарядов. Ёмкость припо-
верхностной области полупроводника (области объемного заряда). Вольт-фарадная характе-
ристика. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы) с индуциро-
ванным и встроенным каналом. Распределение зарядов в структуре при различных режимах
работы. Расчет статических характеристик и параметров. Влияние потенциала подложки.
Упрощенные формулы для расчета статических характеристик и параметров.


7.2 Форма проведения занятий – лекции в аудитории.


8 Практические занятия

    8.1 Основные темы:
      8.1.1. Расчет профиля легирования в слоях микросхемы.
      8.1.2. Расчет толщины слоев различной проводимости микросхемы.
      8.1.3. Расчет токов, параметров и характеристик структуры с ЭДП.
      8.1.4. Расчет токов, параметров и характеристик биполярных транзисторов.
      8.1.5. Методы включения транзисторов в схему и расчет их параметров.

                                                                                 7